Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  SiO2 layers
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
A laboratory scale plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process was developed for obtaining thin films from tetramethoxysilane (TMOS) in mixtures with He and O2 on silicon single crystals using electric discharges, stabilized with a dielectric barrier under atmospheric pressure. The films deposited were of a good adhesion to the substrate and smooth. The rate of films deposition was measured and their composition was determined by infrared spectroscopy with Fourier transformation (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The topography of the films was determined using atomic force microscope (AFM).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.