Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiO2 layer

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

High peak power 16 μm InP-related quantum cascade laser

Szerling A., Slivken S., Razeghi M.

Opto-Electronics Review

2017

Vol. 25, No. 3

205--208

In this paper ∼16 μm-emitting multimode InP-related quantum cascade lasers are presented with the maximum operating temperature 373 K, peak and average optical power equal to 720 mW and 4.8 mW at 303 K, respectively, and the characteristic temperature (T0) 272 K. Two types of the lasers were fabricated and characterized: the lasers with a SiO2 layer left untouched in the area of the metal-free window on top of the ridge, and the lasers with the SiO2 layer removed from the metal-free window area. Dual-wavelength operation was obtained, at λ ∼ 15.6 μm (641 cm−1) and at λ ∼ 16.6 μm (602 cm−1) for lasers with SiO2 removed, while within the emission spectrum of the lasers with SiO2 left untouched only the former lasing peak was present. The parameters of these devices like threshold current, optical power and emission wavelength are compared. Lasers without the SiO2 layer showed ∼15% lower threshold current than these ones with the SiO2 layer. The optical powers for lasers without SiO2 layer were almost twice higher than for the lasers with the SiO2 layer on the top of the ridge.

Wpływ warstwy SiO2 pokrywającej cząstki SiC na strukturę kompozytów AlMg5-SiC

Zyska A., Braszczyńska K.

Krzepnięcie Metali i Stopów

2000

R. 2, nr 42

181--190

Przedstawiono wyniki ilościowej oceny składników strukturalnych powstałych na drodze reakcji pomiędzy warstwą SiO2 pokrywającą cząstki SiC a stopem osnowy AlMg5 w procesie wytwarzania kompozytów. Warstwy SiO2 obecne na cząstkach SiC zostały wytworzone sztucznie poprzez utlenianie cząstek. Podczas wytrzymywania suspensji kompozytowej w temperaturze750ºC przy różnych czasach, od 5 do 35 minut, w wyniku reakcji SiO2 ze stopem osnowy w badanych kompozytach powstawała pseudoeutektyka typu α+Mg2Si. Udziały objętościowe tego składnika strukturalnego w osnowie kompozytów wytrzymywanych w różnym czasie określono dwoma niezależnymi metodami: (i) wyznaczenia (w oparciu o metodę ATD) funkcji spektralnego ciepła krystalizacji, oraz (ii) liniową metodą klasycznej metalografii ilościowej. Przeprowadzone badania pozwoliły na ustalenie przebiegu krzywej określającej udział objętościowy pseudoeutektyki w funkcji czasu wytrzymywania suspensji. Maksymalny udział objętościowy pseudoeutektyki wynosił 20% po czasie 25 minut. Dalsze wytrzymywanie suspensji nie powodowało już wzrostu ilości tego składnika strukturalnego.

There have been presented results of quantitative assessment of structural components produced due to a reaction between the SiO2 layer covering the SiC particles and the matrix alloy AlMg5 during the manufacturing of composites. The SiC particles have been artificially covered with the SiO2 layers by oxidation. Composite suspension has been hold at a temperature of 750ºC for 5 to 35 minutes. As a result of the above mentioned reaction, a pseudoeutectic of α+Mg2Si type has been originated. Volume fractions occupied by this structural component have been determined by means of two independent methods: (i) determining (on the base of the ATD method) the function of the spectral heat of crystallization, and (ii) using the linear method of conventional quantitative metallography. The investigations have allowed for fixing the curve determining the pseudoeutectic volume fraction versus the time of suspension holding. The maximum pseudoeutectic volume fraction has been equal to 20% after 25-minutes' time. Further holding of suspension has caused no more increase in the quantity of the investigated structural component.