Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiNx

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Optical properties of porous Si/PECVD SiNx:H reflector on single crystalline Si for solar cells

Remache L., Nychyporuk T., Guermit N., Fourmond E., Mahdjoub A., Lemiti M.

Materials Science Poland

2016

Vol. 34, No. 1

94--100

The improvement of optical confinement on the back crystalline silicon solar cell is one of the factors leading to its better performance. Porous silicon (PS) layer can be used as a back reflector (BR) in solar cells. In this work, single layers of porous silicon were grown by electrodeposition on a single crystalline silicon substrate. The measurement of the total reflectivity (RT) on Si/PS surface showed a significant improvement in optical confinement compared to that measured on Si/standard Al back surface field (BSF). The internal reflectivity (RB) extracted from total reflectivity measurements achieved 86 % for the optimized single PS layer (92 nm thick layer with 60 % porosity) in the wavelength range between 950 and 1200 nm. This improvement was estimated as more than 17 % compared to that measured on the surface of Si/BSF Al contact. To improve the stability and passivation properties of PS layer BR, silicon nitride layer (SiNx) was deposited by PECVD on a PS layer. The maximum measured total reflectivity for PS/SiNx achieved approximately 56 % corresponding to an improved RB of up to 83 %. The PS formation process in combination with the PECVD SiNx, can be applied in the photovoltaic cell technology and offer a promising technique to produce high-efficiency and low-cost c-Si solar cells.

Sterowanie odpowiedzią czujników opartych na światłowodowych siatkach długookresowych (LPG) poprzez zastosowanie cienkich pokryć

Śmietana M., Bock W. J., Mikulic P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 11

23-25

Przedstawiono wyniki badań nad zastosowaniem cienkich warstw pokryciowych do sterowania czułością światłowodowych siatek długookresowych (ang. Long-period Grating, LPG) na zmiany współczynnika załamania otoczenia. Do pokrycia struktur LPG wykorzystano metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganą plazmą wysokiej częstotliwości (ang. Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, RF PECVD), której użycie umożliwia uzyskania cienkich i jednorodnych pokryć na powierzchni światłowodu. Właściwości pokryć mogą być determinowane poprzez odpowiedni dobór parametrów procesu osadzania. Przedstawiono możliwości wykorzystania warstw diamentopodobnych (DLC) i azotku krzemu (SiNx) do sterowania odpowiedzią struktur na zmiany współczynnika załamania otoczenia, co umożliwia ich późniejsze zastosowania, choćby jako wysokoczułych biosensorów, czujników wilgotności, ciśnienia hydrostatycznego lub temperatury.

The work presents results on application of thin overlays for tuning sensitivity of Long-period Gratings (LPGs) to variations in external refractive index. For deposition of thin films there has been applied Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD) method, which allows for obtaining thin and uniform overlays on the surface of the fiber. Properties of the films can be determined in wide range by selection of certain set of deposition process parameters. There has been shown application of diamond-like carbon (DLC) and silicon nitride (SiNx) thin films for spectral response tuning of the gratings to variations in external refractive index. The effect can be applied for developing highly sensitive biosensors, as well as humidity, hydrostatic pressure, and temperature sensors.