Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiCN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Mechanical Properties And Microstructure Of AlN/SiCN Nanocomposite Coatings Prepared By R.F.-Reactive Sputtering Method

Nakafushi Y., Matsuda K., Nose M.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 2A

973--975

FIn this work, AlN/SiCN composite coatings were deposited by r.f.-reactive sputtering method using a facing target-type sputtering (FTS) apparatus with composite targets consisting of Al plate and SiC chips in a gaseous mixture of Ar and N2, and investigated their mechanical properties and microstructure. The indentation hardness (HIT) of AlN/SiCN coatings prepared from composite targets consisting of 8 ~32 chips of SiC and Al plate showed the maximum value of about 29~32 GPa at a proper nitrogen gas flow rate. X-ray diffraction (XRD) patterns for the AlN/SiCN composite coatings indicated the presence of the only peeks of hexagonal (B4) structured AlN phase. AlN coatings clarified the columnar structure of the cross sectional view TEM observation. On the other hand, microstructure of AlN/SiCN composite coatings changed from columnar to equiaxed structure with increasing SiCN content. HR-TEM observation clarified that the composite coatings consisted of very fine equiaxial grains of B4 structured AlN phase and amorphous phase.

W pracy scharakteryzowano właściwości powłok kompozytowych AlN/SiCN naniesionych metodą reaktywnego rozpylania jonowego RF za pomocą aparatury FTS. Proces rozpylania prowadzono w mieszaninie gazowej Ar i N2 a jako tarczy użyto kompozytów składających się z płytki Al i wiórów SiC. Następnie zbadano właściwości mechaniczne i mikrostrukturę w/w powłok. Maksymalna twardość powłok AlN/SiCN otrzymanych z tarcz kompozytowych składających się z 8~32 wiórów SiC oraz płytki z Al wynosiła ok. 29~32 GPa przy określonej prędkości przepływu azotu. Analiza dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego powłok kompozytowych AlN/SiCN wykazała występowanie refleksów jedynie fazy AlN o strukturze heksagonalnej (B4). Istnienie w powłoce fazy AlN wyjaśniło strukturę kolumnową, którą obserwowano w zdjęciach TEM z przekroju poprzecznego. Jednocześnie, mikrostruktura powłok kompozytowych AlN/SiCN zmieniła się ze struktury kolumnowej w równoosiową wraz ze zwiększeniem się zawartości SiCN. Obserwacje HR-TEM wykazały, że powłoki kompozytowe składały się z drobnych równoosiowych ziaren fazy AlN o strukturze B4 oraz fazy amorficznej.

Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu

Stańczyk B., Jagoda A., Dobrzański L., Caban P., Możdżonek M.

Materiały Elektroniczne

2011

T. 39, nr 2

18-23

Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).

Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).

Si-based protective coatings on Si and steel substrates

Wendler B., Jachowicz M., Kaczmarek Ł., Rylski A., Bieliński D., Wróbel A.M., Jakubowski K.

Inżynieria Materiałowa

2004

R. XXV, nr 3

673-675

Three different refractory coatings: Si.48C.52, Si.44C.31N.25 and Si.52N.48 have been deposited by means of reactive magnetron sputtering at a temperature as low as 373 K. 2 žm thick amorphous deposits have been obtained by means of reactive magnetron sputtering on the surface of commercial austenitic and ferritic steels and polished Si wafers. After deposition the chemical composition and the state of chemical bonding, the structure, morphology and protective properties of the coatings have been investigated by means of EDS and IR spectrometry, SEM, AFM, potentiodynamic response in 1 N H2SO4 environment at ambient temperature, resistance to chemical corrosion in most aggressive chemical environments (HCl, HNO3, HF and KOH up to the temperature as high as 350 K) as well as by means of a thermogravimetric analysis of the resistance to high-temperature oxidation. The protective properties of the coatings against the chemical corrosion and the electrochemical one as well as to oxidation at the temperature 1173 K are of particular interest.

Trzy różne powłoki: Si.48C.52, Si.44C.31N.25 i Si.52N.48 zostały osadzone metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego przy niskiej temperaturze około 370 K. Amorficzne powłoki o grubości 2 žm zostały osadzone na podłożach z typowej stali austenitycznej AISI 304 oraz ferrytycznej AISI 430, a także polerowanych waferach krzemowych. Po osadzeniu zbadano skład chemiczny i fazowy powłok, strukturę, morfologię i ich właściwości ochronne wykorzystując spektrometrię EDS i IR, SEM, AFM, oraz zestaw do badań odporności korozyjnej w środowisku 1 N H2SO4 w temperaturze otoczenia. Zbadano także odporność na korozję chemiczną w najbardziej agresywnych substancjach chemicznych tj. HCl, HNO3, HF i KOH aż do temperatury 350 K jak również odporność na korozję gazową w atmosferze tlenowej metodą mikrotermograwimetryczną. Ochronne właściwości powłok przed korozją chemiczną, elektrochemiczną i gazową (ta ostatnia aż do temperatury 1173 K) są szczególnie godne uwagi.