Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiC material parameters

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Implantowane warstwy rezystancyjne w węgliku krzemu

Synowiec Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 10

9-12

We wstępie tego przeglądowego artykułu zostały opisane najważniejsze parametry elektryczne materiału SiC i obszary zastosowań przyrządów z SiC. Następnie, pokazano miejsca warstw wysokorezystancyjnych w technologii przyrządów z SiC. Na koniec, przedstawiono technologiczne aspekty formowania warstw wysokorezystancyjnych metodą implantacji jonów.

In the introduction of this review article the most important SiC material electrical parameters and the areas of SiC devices application were described. Next, the places of highresistance layers in SiC devices technology were showed. In the end, technological aspect of highresistance layers forming by ion implantation method were presented.