Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiC devices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices

Dawidziuk J.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 4b

29-34

In this paper the power losses in PWM-VSI inverters using SiC devices are investigated. The power losses are determined by simulation based on the loss models for different load conditions. For the conduction loss evaluation the device models simplified to a voltage source in series with a resistor. Theoretical models are correlated well with the experimental data.

W artykule są badane straty mocy w falownikach PWM z przyrządami SiC. Straty mocy są określane poprzez modelowanie w różnych warunkach obciążenia. Do oceny strat przewodzenia używany jest uproszczony model przyrządu stanowiący szeregowe połączenie źródła napięcia i rezystora. Wyniki badań eksperymentalnych potwierdzają założenia teoretyczne.

Application of modern semiconductor devices from silicon carbide for the construction of the synchronous rectifiers

Krupa A.

Challenges of Modern Technology

2011

Vol. 2, no. 2

13--15

In low-voltage isolated DC-DC converters, power losses due to the conduction of rectifying devices are significant. Using synchronous rectifiers instead of the conventional fast recovery diodes is an effective solution to this problem in most topologies. This paper provides results of computer simulation in PSpice of implementation SiC (silicon-carbide) diode in synchronous rectifier topology and shows advantages of this solution.

Implantowane warstwy rezystancyjne w węgliku krzemu

Synowiec Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 10

9-12

We wstępie tego przeglądowego artykułu zostały opisane najważniejsze parametry elektryczne materiału SiC i obszary zastosowań przyrządów z SiC. Następnie, pokazano miejsca warstw wysokorezystancyjnych w technologii przyrządów z SiC. Na koniec, przedstawiono technologiczne aspekty formowania warstw wysokorezystancyjnych metodą implantacji jonów.

In the introduction of this review article the most important SiC material electrical parameters and the areas of SiC devices application were described. Next, the places of highresistance layers in SiC devices technology were showed. In the end, technological aspect of highresistance layers forming by ion implantation method were presented.