Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiC annealing

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO₂/n-4H-SiC (0001)

Kalisz M., Król K., Sochacki M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

121-124

W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu wygrzewania wysokotemperaturowego w atmosferze azotowej, prowadzonego po utlenianiu termicznym 4H-SiC (0001), na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO₂/n-4H-SiC. Zaproponowano 6 różnych sekwencji wygrzewania i przebadano wpływ tych procesów na parametry elektryczne struktur MOS, w których rolę dielektryka pełnił modyfikowany tlenek termiczny.

This paper presents the effect of high temperature annealing in nitrogen atmosphere carried out after thermal oxidation process of 4H-SiC (0001) on electrical parameters of MOS structures. Six sequences with different annealing parameters were proposed and the impact of the processing on the electrical parameters of MOS structures was verified.