Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiC Schottky Barrier Diodes

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si - IGBT i diod Schottky'ego z SiC

Barlik R., Płatek T., Rąbkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

202-206

W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych dostępnych komercyjnie modułów złożonych z dwóch łączników, z których każdy zawiera tranzystor krzemowy IGBT (1200 V/600 A) i diodę zwrotną w postaci diody Schottky'ego z węglika krzemu (1200 V/360 A). Badania ukierunkowano na ocenę właściwości energetycznych, poprzez wyznaczenie strat energii w stanach przewodzenia oraz w stanach załączania i wyłączania łączników. Badane moduły są pierwszymi w skali światowej, dostępnymi komercyjnie, przyrządami półprzewodnikowymi z diodami z węglika krzemu o tak dużej obciążalności prądowej, która w pełni predysponuje te przyrządy do zastosowań energoelektronicznych. Testy zostały przeprowadzone w reprezentatywnym układzie jednofazowego mostkowego falownika napięcia, sterowanego przy użyciu metody PWM i obciążonego dławikiem, w którym wymuszano prąd sinusoidalny o wartości skutecznej 220 A/50 Hz przy częstotliwości przełączeń, nastawianej w zakresie 10..50 kHz. Wyniki badań modułów z diodami z SiC porównano z wynikami uzyskanymi w układzie testowym o tej samej topologii mostkowej, wykonanym z dwułącznikowych modułów o tej samej strukturze złożonych z tranzystorów IGBT i diod krzemowych (1200 V/900 A). B

The objective of the paper is to present calculations as well as laboratory measurement results of power losses dissipated in commercial offered modules consisting of two silicon IGBTs (1200 V/600 A) and anti-parallel silicon - carbide Schottky Barrier Diodes (1200 V/360A). The experimental investigations were focused on estimation of conducting and switching energy losses. The investigated modules are first in the World scale commercially achieved power semiconductor devices with silicon - carbide Schottky Barrier Diodes with so large rating current which is interesting for power electronics applications. Experimental tests were carried out in one phase PWM voltage source bridge inverter controlled with PWM method and loaded with inductor. The rms value of the sinusoidal output current was 220 A/50 Hz and the switching frequency was changed in range from 10...50 kHz. The results achieved for modules witch silicon - carbide Schottky Barrier Diodes were compared with power losses in the same inverter but built with traditionally silicon IGBT modules (1200V/900A).