Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiC MESFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

Cichosz J., Stawarz-Graczyk B., Szewczyk A.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

2010

T. 19

459-464

Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną dla tych samych przebiegów funkcją koherencji (dziedzina częstotliwości).

In the paper the method of fast estimation of correlation between gate current and drain current noise of SiC MESFET's was presented. The investigations were carried out on MESFET type CRF24010 (CREE). The correlation was estimated in the low frequency range (2 Hz ÷ 2 kHz), for three values of drain current: Id = 1; 5; 10 mA. The results of correlation estimation (time domain) were compared with the results of coherence function estimation (frequency domain).