Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Si substrates

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Emisja polowa z nanorurek węglowych osadzonych na podłożach krzemowych

Kowalska E., Radomska J., Czerwosz E., Kozłowski M., Diduszko R., Wronka H.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

35-36

W pracy zaprezentowano wyniki badań właściwości emisyjnych warstw wielościennych nanorurek węglowych (Multiwalled Carbon Nanotubes - MWCNTs), zsyntezowanych metodą CVD (Chemical Vapor Deposition) na gładkich i porowatych podłożach krzemowych Si o orientacji (111). Obserwowano wzmocnienie emisji z warstw CNTs osadzonych na podłożu porowatym w porównaniu z płytką Si o gładkiej powierzchni. Ten efekt może być spowodowany lepszym uporządkowaniem i mniejszą ilością zdefektowanych nanorurek z podłoża porowatego, dla których czynnik wzmocnienia pola elektrycznego B (Beta) ma wiekszą wartość od wartości charakterystycznej dla nanorurek poskręcanych, bardziej zdefektowanych.

The emissive properties of multiwalled carbon nanotube (MWCNT) films, obtained by a chemical vapor deposition (CVD) method on porous and flat Si (111) substrates, were studied in diode vacuum system. The improvement of emissive properties of CNTs grown on porous silicon in comparison with nanotubes grown on a flat Si substrate was observed. The registered effect can be caused by the better aligned, less defected nanotubes (from porous Si wafer), for which a field enhancement factor (is higher than for tubes randomly arranged (flat Si).