PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  Schottky diodes
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Bisewski D., Myśliwiec M., Górecki K., Kisiel R., Zarębski J.
Metrology and Measurement Systems
|
2016
|
Vol. 23, nr 3
451--459
EN
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
2
Content available remote Electronic parameters of MIS Schottky diodes with DNA biopolymer interlayer
Gullu O., Turut A.
Materials Science Poland
|
2015
|
Vol. 33, No. 3
593--600
EN
In this work, we prepared an ideal Cu/DNA/n-InP biopolymer-inorganic Schottky sandwich device formed by coating a n-InP semiconductor wafer with a biopolymer DNA. The Cu/DNA/n-InP contact showed a good rectifying behavior. The ideality factor value of 1.08 and the barrier height (Φb) value of 0.70 eV for the Cu/DNA/n-InP device were determined from the forward bias I-V characteristics. It was seen that the Φb value of 0.70 eV obtained for the Cu/DNA/n-InP contact was significantly larger than the value of 0.48 eV of conventional Cu/n-InP Schottky diodes. Modification of the interfacial potential barrier of Cu/n-InP diode was achieved using a thin interlayer of DNA biopolymer. This was attributed to the fact that DNA biopolymer interlayer increased the effective barrier height by influencing the space charge region of InP.
3
Content available Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2014
|
Nr 40
103--106
EN
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
PL
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
4
Content available DC characteristics of the SiC Schottky diodes
Janke W., Hapka A., Oleksy M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2011
|
Vol. 59, nr 2
183-188
EN
The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
5
Content available remote Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur
Janke W., Hapka A., Oleksy M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 11
203-205
PL
W pracy omówiono badania przejściowej impedancji termicznej diod Schottky’ego z węglika krzemu, w szerokim zakresie temperatur otoczenia. Scharakteryzowano parametry elektryczne węglika krzemu oraz wpływ temperatury na parametry decydujące o przebiegu przejściowej impedancji termicznej. Omówiono sposób pomiaru, oraz wyniki badań impedancji termicznej kilku typów diod Schottky’ego w zakresie temperatur otoczenia od 25°C do 300°C.
EN
In the paper, the investigations of SiC Schottky diodes thermal characteristics in the wide range of ambient temperature are presented. The electrical parameters of silicon carbide are described and the temperature dependence of the thermal parameters of this material is outlined. The transient thermal impedance measurement results, obtained for several types of SiC Schottky diodes for the ambient temperature range of 250C to 3000C are shown and discussed.
6
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
Szewczyk A., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
13-15
PL
Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.
EN
The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.
7
Content available remote Koncepcja metody charakteryzacji diod Schottky'ego na zakres fal milimetrowych
Chramiec J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2008
|
nr 59
14-25
PL
Dzięki daleko posuniętej miniaturyzacji monolityczne mikrofalowe diody Schottky'ego z wyprowadzeniami belkowymi wykazują szczególnie małe wartości pasożytniczych elementów reaktancyjnych. W artykule przedstawiono propozycję procedury pomiarowo-obliczeniowej, mającej na celu identyfikację układu zastępczego takich diod przeznaczonych do pracy w zakresie fal milimetrowych. Oryginalnym elementem tej propozycji jest układ pomiarowy, umożliwiający wykonywanie pomiarów rezonansowych, impedancyjnych oraz transmisyjnych. Dzięki temu możliwa jest ekstrakcja wartości poszczególnych elementów układu zastępczego diody ze szczególnym uwzględnieniem pasożytniczych pojemności i indukcyjności. Podano zależności służące do opracowania wyników pomiarów rezonansowych. Dokonano również obliczeniowej weryfikacji poszczególnych pomiarów, potwierdzając poprawność koncepcji oraz użyteczność symulacji pomiarów przy planowaniu eksperymentów i opracowaniu ich wyników.
EN
An experimental and computational procedure of mm-wave beam-lead Schottky barrier diodes characterisation has been proposed. It has been based on a novel design of the diode mounting circuit which enables resonance, reflection and transmission measurements on the device in question. Computational verification of particular experiments has been also done with results supporting the validity of the proposed approach.
8
Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky'ego
Kwietniewski N., Sochacki M., Szmidt J., Guziewicz M., Kamińska E., Piotrowska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 9
57-62
PL
W ramach prowadzonych badań wykonane zostały diody Schottky'ego Ir/4H-SiC, IrO2/4H-SiC, Ni/4H-SiC. W artykule opisany został wpływ różnych procesów przygotowania powierzchni podłoża z węglika krzemu (4H-SiC) na parametry elektryczne uzyskanych diod. Sprawdzono skuteczność stosowanej powszechnie w technologii krzemowej procedury RCA, wpływ kąpieli w buforowym roztworze kwasu fluorowodorowego (HF buff ), użyteczność roztworów czyszczących na bazie kwasu siarkowego (H2SO4) oraz wpływ reaktywnego trawienia jonowego (RIE) powierzchni węglika krzemu. Zmierzone charakterystyki prądowo-napięciowe (I-V) diod Schottky'ego przeanalizowane zostały pod kątem korelacji obliczonych parametrów elektrycznych z efektami zaproponowanych metod przygotowania powierzchni. Trawienie RIE obniża w każdym przypadku efektywną wartość bariery Schottky'ego. Istnieje możliwość jednoczesnego obniżenia prądu zaporowego po zastosowaniu odpowiednich parametrów procesu trawienia. Omawiany efekt jest korzystny dla ograniczenia statycznych strat mocy zarówno przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia jak i w kierunku zaporowym. Wykazano, że zastosowanie trawienia RIE może wpływać korzystnie na obniżenie rezystancji charakterystycznej diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia.
EN
Ir/4H-SiC, IrO2/4H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky diodes are reported in terms of different methods of surface pretreatment before contact deposition. RCA method, buffered HF bath, H2SO4 solution and reactive ion etching (RIE) were tested in different configurations. The electrical parameters extracted from I-V characteristics of Schottky diodes were correlated with the results of proposed surface cleaning methods. Very promising results were obtained for samples which had been etched in argon, taking into account the total static power losses, because the modified surface preparation leads to a decrease in the forward voltage drop and reverse leakage current simultaneously. The decrease of Schottky diode specific resistance is able to achieve using reactive ion etching.
9
Content available Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
Sikorski S., Jung W.
Electron Technology : Internet Journal
|
2007
|
Vol. 39, nr 5
1-5
EN
The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
10
Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat
Klamka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 6
40-46
PL
Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.
EN
In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.
11
Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu
Zarębski J., Dąbrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 6
17-21
PL
W pracy dokonano przeglądu, wytworzonych w skali laboratoryjnej, nowoczesnych struktur diod Schottky'ego z węglika krzemu. Pokazano różnorodność rozwiązań konstrukcyjnych i technologicznych, umożliwiających uzyskanie wysokich wartości napięć przebicia. Przedstawiono krótką charakterystykę każdej ze struktur, podając uzyskane wartości parametrów funkcjonalnych oraz charakterystyki prądowo-napieciowe.
EN
In this paper the review of the modern structures of the SiC Schottky diodes is presented. The diversity of constructions and technologies, which make it possible to obtain hign breakdown voltages of these devices, has been shown. Each described structure is shortly characterized by its parameter values and the d.c.characterictics.
12
40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce
Klamka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 8/9
11-21
PL
W pracy przedstawiono historię i zarys rozwoju półprzewodnikowej elektroniki mikrofalowej w Polsce. Znajdują się tu informacje o waraktorach, diodach lawinowych, diodach Gunna, diodach PIN, diodach ładunkowych i ograniczających, diodach Schottky'ego, a także podzespołach mikrofalowych wytwarzanych w Pionie Mikrofal a ostatnio w Zakładzie Elektroniki Mikrofalowej w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie.
EN
In this paper the history and development of the microwave electronics in Poland is presented. On can find the information about varactors, avalanche diodes, Gunn Diodes. PIN diodes, step - recovery diodes, limiter diodes, Schottky diodes, transistors and microwave subsystems producer in Microwave Division of Institute of Electron Technology in Warsaw.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.