Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Schottky contact

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Pogrubiania elektrochemiczne złotem cienkich warstw metalicznych

Macherzyński Wojciech, Buba Piotr, Pokryszka Piotr, Ilgiewicz Grzegorz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 10

146--149

W artykule omówiono projekt układu zasilania w stanowisku do pogrubiania elektrochemicznego złotem cienkich warstw metalicznych. Pogrubianie cienkich warstw metalicznych w technologii półprzewodnikowej jest ważnym etapem w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Umożliwia ono wykonanie poprawnych połączeń drutowych w procesie termo- i/lub ultra-kompresji oraz zapewnia zmniejszenie rezystancji powierzchniowej, która jest istotna w celu zapewnienia poprawnej pracy przyrządów wytwarzanych w AIIIN.

The article present the project of power supply unit of the system for electrochemical thickening of thin metallic layers with gold. Thickening of thin metallic layers in semiconductor technology is an important stage of the process of devices fabrication. It allows to obtain the proper wire connections in the process of thermo- and/or ultra-compression and additional advantage of thickened metallization layers is the reduction of surface resistance, that is important for ensuring proper operation of devices fabricated in AIIIN.

Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

Głowacki P., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 9

108-110

The paper describes alternative method to improve adhesion of platinum thin layer to AlGaN/GaN heterostructures. Our approach was to use low temperature annealing before and during deposition process. The main goal was to observe if such treatment can provide better quality of Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructures.

Artykuł opisuje alternatywną metodę poprawy adhezji cienkich warstw platynowych do heterostruktur utworzonych na azotku galu. Zastosowano niskotemperaturowe wygrzewanie przed i w trakcie procesu osadzania. Głównym celem było sprawdzenie, czy takie potraktowanie próbki może zapewnić lepszą jakość kontaktów Schottky’ego do heterostruktur AlGaN/GaN.