Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SWIR

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A pilot study on determining approximate date of crop harvest on the basis of Sentinel-2 satellite imagery

Tuszynska Joanna, Gatkowska Martyna, Wrobel Karolina, Jagiello Katarzyna

Geoinformation Issues

2018

Vol. 10, no. 1(10)

65--77

The paper presents a pilot study which was designed to determine whether Sentinel-2 satellite data can be applied for assessing the approximate date of crop harvest. The in-situ data collection is demonstrated, and further analysis of spectral reflectance of crops in selected spectral bands, in the period before and after harvest, is presented. The relation between the reflectance of Shortwave Infrared (SWIR) spectral bands and the crops status was found. The results are discussed and the need for further studies is indicated.

W artykule zaprezentowano badanie pilotażowe, którego celem było określenie, czy dane optyczne Sentinel-2 mogą być zastosowane do określenia przybliżonej daty zbiorów upraw. Przedstawiono zgromadzone dane in-situ oraz analizę współczynnika odbiciowości roślin w wybranych pasmach spektralnych w okresie przed i po zbiorach. Stwierdzono zależność między współczynnikiem odbiciowości w pasmach podczerwieni krótkofalowej (SWIR) a statusem upraw. Wyniki omówiono. Wskazano na potrzebę przeprowadzenia poszerzonych badań w omawianym zakresie.

MOCVD grown MWIR HgCdTe detectors for high operation temperature conditions

Martyniuk P., Koźniewski A., Kębłowski A., Gawron W., Rogalski A.

Opto-Electronics Review

2014

Vol. 22, No. 2

118-126

The paper reports on photoelectrical performance of the mid-wave infrared HgCdTe detector for high operating temperature condition. Detector structure was simulated with APSYS numerical platform by Crosslight Inc. The comprehensive analysis of the detector performance such as dark current, detectivity, time response vs. device architecture and applied bias has been performed. The N⁺pP⁺n⁺ HgCdTe heterostructure photodiode operating in room temperature at a wavelength range of 2.6–3.6 μm enabled to reach: detectivity ~ 8.7×10¹⁰ cmHz¹/²/W, responsivity ~ 1.72 A/W and time response ~ 145 ps(V = 200 mV).