In this paper piezoconductivity phenomenon in MOSFET channel is discussed and extension of drain current model with possibility of stress consideration is proposed. Analysis of obtained model combined with examination of stress components inherent in the MOSFET channel as well as distributions of specific piezoconductance coefficients on a plane of channel can show which directions of transistor channel are desirable for improvement of MOSFET performances. This model gives possibility to predict optimal transistor channel orientation, for the given stress state in MOSFET channel. Possible simplification of this model is considered. In particular, stress state and significant piezoconductance coefficient distributions on planes f100g, f110g as well as f111g are analyzed. For assumed particular cases of stress state in the channel, final models of MOSFT for considered specific planes are given.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
The increasing electromagnetic noise level on electric networks and the even higher switching frequency of power supply units built into sensible electronic devices make necessary to have more precise modelling of transformers, taking into account also wave propagation along their coils. For a reliable forecast through simulation of transformers' reaction to incoming over-voltages and other interference a SPICE model will be proposed here for multi-layer coils and transformers giving similar results to those given by measurements.
PL
Wzrost szumów elektromagnetycznych w sieciach zasilających i składowych w.cz. w układach wymusza konieczność bardziej precyzyjnego modelowania transformatorów, z uwzględnieniem propagacji falowej w uzwojeniach. Zaproponowano modelowanie przy użyciu programu SPICE uwzględniające efekty przepięć i interferencji. Porównano wyniki symulacji z badaniami eksperymentalnymi.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.