Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SLID technology

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu

Kisiel Ryszard, Śpiewak Piotr, Kruszewski Mirosław J.

Przegląd Elektrotechniczny

2021

R. 97, nr 2

60--63

Analizowano proces montażu chipów GaN-on-Si do podłoży Cu w oparciu o pasty Ag. Wykorzystano dwa zjawiska: zgrzewania dyfuzyjnego do połączenia między metalizacją montażową chipu Si i pastą Ag oraz zjawisko dyfuzji w fazie ciekłej (SLID – Solid-Liquid Interdiffusion) do połączenia między podłożem Cu a warstwą pasty Ag. Stosowano jeden profil temperaturowy: suszenie 70C&10min+ SLID 250C&5min oraz dyfuzję w fazie stałej 200C&60min. Uzyskano połączenie o dobrej adhezji (powyżej 10 MPa) oraz zadowalającej rezystancji cieplnej (ok. 0,05 K/W).

The application of SLID technology for the assembly of GaN-on-Si chips on Cu substrate using Ag paste is considered. The assembly process is based on: sintering for creation interface between Au metallization on Si chips and Ag paste as well as SLID process for creation interface between Ag paste and Cu substrate with Sn metallization. One temperature profile was applied: drying (70C&10min) + SLID (250C&5 min) + sintering (200C&60 min) in air. Connection is characterized by good adhesion (above 10 MPa) and low thermal resistance (0,05 K/W).

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

Kisiel Ryszard, Sochacki Mariusz, Taube Andrzej, Guziewicz Marek

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 11

5--7

Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.

The connection systems of AlGaN/GaN on (111)Si chip metallized with Cu, Ag or Au (mounting layers) were preformed to DBC plates using Solid Liquid phase Interdiffusion (SLID) technology and Ag sintering bonding, and the systems were verified. The chip adhesion forces for DBC samples with intermediate galvanic (1 m)Sn layer, and the load force matched to the chip size, temperature of 280oC and time of 30 min. for the sintering process, are above 22 MPa. Ag sintering bonding of the chip with backside Ag metallization to DBC substrate is exceeding 22 MPa.