Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2018

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SJT

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT

Szelągowska J.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 8

75--78

W pracy przedstawiono charakterystyki i parametry robocze tranzystora mocy SJT, wykonanego z węglika krzemu typu 2N7635-GA firmy GeneSiC. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz wartości wybranych parametrów, ze szczególnym uwzględnieniem wpływu temperatury i punktu pracy rozważanego przyrządu. Dla porównania zaprezentowano również wybrane charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.

The paper presents the characteristics and operating parameters of the SJT power transistor 2N7635-GA manufactured by GeneSiC. The characteristics and values of selected operating parameters with special emphasis on the effect of temperature and operating point of considered device are discussed. For comparison, selected characteristics of the considered transistor available in the data sheet, are presented as well.

Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu

Szelągowska J., Zarębski J.

Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering

2018

No. 95

9--18

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności.

In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated.