PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Opto-Electronics Review
Autorzy help
  1. 1 Bychto L.
  2. 1 Maliński M.
Lata help
  1. 1 2016
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  SHR statistics
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Influence of light intensity on the lifetime of carriers in silicon investigated by a photoacoustic method
Bychto L., Maliński M.
Opto-Electronics Review
|
2016
|
Vol. 24, No. 2
58--61
EN
The paper presents experimental results of the lifetime of light induced excess carriers in the n-type silicon. The lifetimes of carriers of silicon crystals were analysed as a function of the intensity of light illuminating the sample. As a measurement method of the lifetime of carriers, the photoacoustic method in a transmission configuration with different surfaces was used. The dependence character was next analysed in the frame of the Shockley Reed Hall statistics in approximation of the light low intensity.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.