Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SCAPS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Symulacja numeryczna ogniw heterozłączowych TiO2/Cu2O(CuO), przy pomocy programu SCAPS

Sawicka-Chudy P., Sibiński M., Cholewa M., Sosna-Głębska A., Wisz G.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 8

17--20

W artykule przedstawiono wyniki symulacji numerycznej modeli cienkowarstwowych struktur fotowoltaicznych w programie SCAPS. Obliczono podstawowe parametry elektryczne (Jsc, η, VMPP, JMPP) dla standardowych warunków testowych STC (AM1.5G, 100 mW/cm2, 300K) oraz zbadano wpływ warstwy absorbera (Cu2O, CuO) i warstwy buforowej (TiO2) na działanie ogniw słonecznych. Następnie porównano charakterystyki pojemnościowo-napięciowe, Mott Schottky’iego oraz wpływ defektów dla ogniw TiO2/Cu2O oraz TiO2/CuO.

In the presented work, the Cu2O/TiO2 and CuO/TiO2 heterojunction solar cells have been analyzed by the help of Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS). The effect of absorber and buffer layers on the cell photoconversion efficiency, short circuit current density and open circuit voltage were simulated without defects. Next, capacitance-voltage, Mott–Schottky characteristic were calculated and analized. Finally, authors examined the effects of defect density on the efficiency.

Charakteryzacja cienkowarstwowych ogniw słonecznych na podstawie pomiarów i symulacji ich charakterystyk pojemnościowych

Sibiński M., Znajdek K., Stanisławski P.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

162-165

W artykule przedstawiono możliwości analizy parametrów ogniw słonecznych na podstawie pomiarów ich charakterystyk pojemnościowych. Prezentowane prace dotyczą symulacji numerycznych oraz pomiarów rzeczywistych charakterystyk pojemności złączowej cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Na podstawie symulacji numerycznych i pomiarów dokonano obliczeń takich parametrów jak wykres Mott- Schottky’iego, gęstość domieszkowania w zależności od napięcia flat-band, czy też rozkład domieszek w słabiej domieszkowanym obszarze ogniwa. Praca prezentuje także problemy dotyczące konstrukcji i wykonania a także prowadzenia i interpretacji pomiarów przy pomocy specjalnie zaprojektowanego stanowiska badawczego.

The article presents issues connected with analysis of solar cells parameters based on their junction capacitnce measurements. Presented investigation was based on numerical simulations, and indirect and direct measurements of thin -film solar cells capacitance characetristics. Using all described methods many parameters, namely Mott-Schottky characteristics, density of doping according to flat-band potential and base region doping level were calculated. The work presents also problems connected with construction and operation of the laboratory setup for Cj measurements as well as possible interpretation of obtained results.