Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: RuO2

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cienkowarstwowe półprzewodnikowe czujniki gazów

Kopia A.

Inżynieria Materiałowa

2010

Vol. 31, nr 4

1030-1033

W pracy przedstawiono wpływ domieszkowania Cu i Nd warstw CeO2 oraz zastosowanej technologii wytwarzania warstw RuO2 na właściwości katalityczne cienkowarstwowych półprzewodnikowych czujników gazów. Wprowadzenie miedzi spowodowało poprawę własności katalitycznych w wyniku zwiększenia względnej prędkości wzrostu ziaren w kierunku (200) w porównaniu z kierunkiem (111). Wprowadzenie Nd+3 do struktury CeO2 spowodowało wzrost wakacji, a tym samym wzrost przewodności jonowej i nieznaczną poprawę własności katalitycznych. W wyniku zastosowania metody zol-żel uzyskano warstwy RuO2, na których zachodziło całkowite utlenianie gazu CH4 w przeciwieństwie do warstw wytworzonych techniką PLD.

The catalytic properties of the semiconductor gas sensor can be modified by: dopands, catalyst on the surface or using techniques. In this work the influence of the dopants like Cu and Nd in thin films CeO2 and using techniques (laser ablation and sol-gel) for produced RuO2 on the catalytic properties have been analyzed. For thin films doped 27% at. Cu and 6% at. Nd improvement of the catalytic properties was observed. The full oxidation of CH4 on RuO2 was observed only in thin films produced by sol-gel method.

Gaussianity evaluation of noise in RuO2-glass resistors

Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K., Żak D., Ptak P., Szałański P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 12

31-33

Low-frequency noise in thick-film resistors of RuO2 and glass mixture study in temperature below 2 K has been described. Second spectra method has been used to test gaussianity of the measured noise. Possibility of nongaussianity in observed 1/f noise has been found at lowest temperature in experiment, T= 0.37 K.

Opisano badania szumu w zakresie małych częstotliwości w rezystorach RuO2-szkło w temperaturze poniżej 2 K. Zastosowano metodę widm drugiego rzędu do określenia cech gaussowskich zmierzonego szumu 1/f. Wykryto niestacjonarność szumu w najniższej temperaturze uzyskanej podczas eksperymentu, T= 0,37 K.

GaN : materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach

Szczęsny A., Kamińska E., Piotrowska A., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

16-17

Przedstawiono wyniki badań nad procesami wytwarzania kontaktu bramki w tranzystorze HEMT na bazie GaN. Miały one na celu porównanie właściwości bramek Pt i Ru z bramką RuO2. Cienkie warstwy RuO2 powinny być atrakcyjne ze względu na małą rezystywność, wysoką pracę wyjścia i doskonałą stabilność termiczną.

We present the results ot our investigations into fabrication processes ot the gate contact for the GaN-based HEMT transistor. The aim of this work was to compare the properties of Pt and Ru contacts with RuO2 one. Thin RuO2 films demonstrate low resistivity, high electron affinity and excellent thermal stability; hence they are very attractive for high power and high temperature applications.