Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Post-processing of titanium 3D printouts with radio frequency plasma

Grabarczyk Jacek, Jastrzębski Krzysztof, Wrotniak Maciej

Engineering of Biomaterials

|

2021

|

Vol. 24, no. 160

8--14

EN

Additive manufacturing is a technology of great interest for biomedical engineering and medicine since it enables to mimic natural structures. The 3D printouts require post-processing to ensure desired surface properties and interaction with living matter. The presented research focuses on novel approaches involving plasma treatment of Ti6Al4V scaffolds obtained by Direct Metal Printing. Solid samples and scaffolds of two various geometries were treated in atmospheres of pure argon, argon and oxygen or pure oxygen. The effect of post-processing was evaluated with scanning electron microscopy, measurements of mass, and surface roughness. In all the examined cases the proposed post-processing method reduces the amount of loosely bonded powder particles remaining after printing. The changes of mass before and after the treatment are much lower than in the case of popular wet chemical methods. The character of undergoing post-processing depends on the process atmosphere resulting in physical etching or the combination of physical etching and chemical oxidation. The action of argon or argon/ oxygen plasma reduces mass to the level of only 1% while by use of pure oxygen atmosphere even the slight increase of the overall sample mass is observed. The plasma etching was successfully introduced for the treatment of titanium 3D printouts to minimize the detachment of powder particles. That method not only is much softer than chemical etching but it can also lead to specific surface structurization that may be beneficial regarding medical applications of such printouts.

2

Ultra-płytka implantacja fluoru z plazmy w.cz. jako metoda poprawy właściwości elektro-fizycznych struktur MIS z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD

Kalisz M., Mroczyński R., Beck R. B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 2

20-26

PL

W pracy przedstawiono analizę zmian parametrów elektrycznych i niezawodnościowych, jakie wprowadza obecność bogatej we fluor warstwy w strukturze bramkowej układu MOS (MIS] z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD. Powierzchnia podłoży krzemowych przed wykonaniem struktur testowych poddana została odmiennie, niż spotyka się to najczęściej w literaturze, procesom ultra-płytkiej implantacji jonów z plazmy CF₄. Uzyskane wyniki wskazują, że badane układy MOS (MIS), wykonane na zmodyfikowanych podłożach krzemowych, charakteryzują się mniejszymi (co do wartości bezwzględnej) wartościami napięcia płaskich pasm (UFB) oraz ładunku efektywnego (Qeff) w porównaniu do struktur referencyjnych. Nie zmienia się natomiast znacząco gęstość stanów powierzchniowych w środku pasma energii zabronionej krzemu (Ditmb). Wprowadzenie fluoru w obszar graniczny półprzewodnik/dielektryk struktur MOS (MIS) powoduje w konsekwencji także nieznacznie zmniejszenie wartości przenikalności elektrycznej warstw dielektrycznych.

EN

In this work, the analysis of changes in electro-physical and reliability properties, which introduce fluorine-rich dielectric layer formed in the gate of MOS (MIS] structures with PECVD dielectric layers, has been reported. In contrary to commonly found in literature ways, ultra-shallow fluorine implantation from CF₄ plasma of silicon substrates, before the fabrication of test structures, was performed. Presented results have shown, that investigated MOS (MIS) structures, fabricated on modified silicon substrates, are characterized by lower (in absolute values) flat-band voltage (UFB) and effective charge (Qeff) values in comparison to reference structures. Moreover, interface states density in the middle of silicon forbidden band values (Ditmb do not seem to differ significantly In consequence, introduction of fluorine into the semiconductor/dielectric interface of MOS (MIS] structure results in a small decrease of permittivity constant of PECVD dielectric layers.

3

Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS

Kalisz M., Beck R. B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

37-40

PL

W artykule przedstawiona zostanie nowa metoda szacowania energii jonów i rozkładu ich gęstości w plazmie, podczas procesu trawienia plazmowego RIE w plazmie CF4. Metoda ta łączy w sobie eksperyment technologiczny z komputerowo przeprowadzoną symulacją procesu implantacji. W celu oszacowania energii jonów fluoru i rozkładu ich gęstości w plazmie, kształt profilu rozkładu jonów fluoru otrzymany z pomiaru SIMS porównany został z profilami rozkładu jonów fluoru otrzymanymi z procesu symulacji jego implantacji. Symulacja ta przeprowadzona została w programie SRIM. W wyniku przeprowadzonego procesu odwzorowywania, z dużej grupy energii implantacji otrzymanych z procesu symulacji, wybrane zostało pięć, które poprawnie odwzorowywują kształt profilu zmierzonego za pomocą SIMS. Na ich podstawie wyliczony został strumień jonów fluoru, biorących udział w procesie trawienia plazmowego RIE, przy zadanych jego parametrach.

EN

In this paper we present a novel method, which allows evaluation of these parameters basing on performed experiments, the results of their characterization and computer simulation. The method is shown on the example of RIE in CF4, during which fluorine ions are implanted into the substrate. In order to evaluate the ions parameters (concentration and energy distribution) the profiles determined by ULE-SIMS were then compared with fluorine profiles simulated by SRIM. In order to obtain good fitting to the experimental profile, several SRIM profiles for different ions energies had to be taken into account. This allowed for determination of fluxes of fluorine ions impinging the substrate surface and their energy distribution for the experimental conditions used in this study.

4

RF plasma synthesis of carbon encapsulates

Bystrzejewski M., Huczko A., Lange H., Karoly Z., Gal L.

Polish Journal of Applied Chemistry

|

2005

|

Vol. 49, nr 1-2

23-31

EN

RF plasma synthesis of carbon encapsulates containing ferromagnetic nanocrystallites is reported. The products morphology was examined by using HRSEM and HRTEM. The phase composition was studied by XRD and EDS. Magnetic hysteresis loops were measured at room temperature.