Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: RF circuits

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ rozrzutu procesu technologicznego na parametry scalonych układów RF i jego redukcja przez autokalibrację

Kurjata-Pfitzner E., Szymański A., Wąsowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

137-145

Artykuł dotyczy problemu wpływu rozrzutu procesu technologicznego na parametry wysokoczęstotliwościowych scalonych układów RF do komunikacji bezprzewodowej. Dla zilustrowania skali tego wpływu, przedstawiono wyniki własnych symulacji niektórych bloków funkcjonalnych stosowanych w nadajniku/od bioniku (transceiver) dla technologii CMOS 0,35μm. Następnie, na podstawie najnowszej literatury omówiono wybrane, układowe metody automatycznego dostrajania (autokalibracji) parametrów syntezera częstotliwości z pętlą PLL, wejściowego wzmacniacza niskoszumnego LNA oraz mieszaczy z przemianą bezpośrednią i z częstotliwością pośrednią.

The paper deals with impact of process variations on parameters of high frequency RF integrated circuits for wireless communication. To illustrate the scale of this impact some results of own simulation of selected functional blocks used in transceivers for CMOS 0.35 μm process were presented. Next, basing on recent publications the chosen methods of automatic tuning (self-calibration) of main parameters of frequency syntesizer with PLL, input low noise amplifier and down - conversion mixers using dedicated on-chip circuits, are reviewed.

Wybrane problemy projektowania układów RF

Kurjata-Pfitzner E., Szymański A. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

51-53

Przedstawiono wybrane aspekty projektowania układów RF. Omówiono metodykę projektowania i stosowane narzędzia symulacyjne. Na przykładzie wzmacniacza niskoszumnego oraz oscylatora na pasmo 2,4 GHz pokazano wpływ odchyłek parametrów procesów technologicznych oraz elementów pasożytniczych wynikających z topogratii i obudowy na właściwości projektowanych układów.

In this paper some aspects of designing Radio Frequency Integrated Circuits was considered. The simulation tools and method of designing were discussed. The influences of process fluctuations, on-chip parasitics and package parasitics on low noise amplifier and voltage controlled oscillator (working at 2.4 GHz) characteristics were presented.

Wpływ obudowy na parametry układów scalonych RF

Szymański A., Kurjata-Pfitzner E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 11

23-25

W artykule omówiono oddziaływanie obudowy na układy scalone RF na przykładzie niskoszumnego wzmacniacza LNA i oscylatora sterowanego napięciem VCO na pasmo 2.4 GHz. Zbadano wpływ liczby wyprowadzeń masy na parametry LNA. Stwierdzono, że oddziaływanie obudowy na VCO, powodujące degradację częstotliwości generowanych drgań, może zostać skompensowane poprzez dobranie elementów układu.

The effects of package on parameters of integrated RF circuits on the example of low noise amplifier LNA and voltage controlled oscillator VCO aimed on 2.4 GHz band were presented. The influence of ground pin number on LNA parameters was investigated. Moreover, it was stated that the influence of package on VCO leading to degradation of frequency may be compensated by adjusting circuit elements.