Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: RF applications

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie nieliniowości wprowadzanych przez wzmacniacze mocy

Pochmara J.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

2007

T. 14

657-664

Celem artykułu jest wprowadzenie w dziedzinę modelowania bezpamięciowych układów dynamicznych jakimi są wzmacniacze mocy stosowane w obecnych i przyszłych systemach radiokomunikacji ruchomej. Modelowanie oraz symulacja takich układów jest niezastąpionym narzędziem, które pozwala na sprawdzenie struktur wzmacniaczy mocy w nowo projektowanych systemach transmisji bezprzewodowej. Takie rozwiązanie umożliwia sprawdzenie proponowanych koncepcji bez konieczności budowy modeli sprzętowych i przeprowadzania czasochłonnych i drogich doświadczeń związanych z transmisją sygnałów. Główną zaletą takiego podejścia jest możliwość elastycznej kontroli charakterystyk wzmacniaczy mocy w zależności od potrzeb projektowanego systemu przed jego realizacją sprzętową.

This paper describes methods for modeling nonlinear rower amplifier for RF applications. Presented models are based on the most useful architecture and can be applied to characterize memoryless behaviour of real rower amplifiers. Presented methods are most popular for simulating the nonlinear characteristics of the RPA. Implementation and complexity of its realization could be do in the future work.

Advanced compact modeling of the deep submicron technologies

Grabiński W., Bucher M., Sallese J.-M., Krummenacher F.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2000

nr 3-4

31-42

The technology of CMOS large-scale integrated circuits (LSI's) achieved remarkable advances over last 25 year and the progress is expected to continue well into the next century. The progress has been driven by the downsizing of the active devices such as MOSFETs. Approaching these dimensions, MOSFET characteristics cannot be accurately predicted using classical modeling methods currently used in the most common MOSFET models such as BSIM, MM9 etc, without introducing large number of empirical parameters. Various physical effects that needed to be considered while modeling UDSM devices: quantization of the inversion layer, mobility degradation, carrier velocity saturation and overshoot, polydepletion effects, bias dependent source/drain resistances and capacitances, vertical and lateral doping profiles, etc. In this paper, we will discuss the progress in the CMOS technology and the anticipated difficulties of the sub-0.25 žm LSI downsizing. Subsequently, basic MOSFET modeling methodologies that are more appropriate for UDSM MOSFETs will be presented as well. The advances in compact MOSFET devices will be illustrated using application examples of the EPFL EKV model