Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: RDS(ON)

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Porównanie parametrów tranzystorów MOSFET wykonanych w technologii Si oraz SiC

Kardyś W., Król K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 7

79-81

W artykule przedstawiono porównanie parametrów tranzystorów MOSFET wykonanych w klasycznej technologii krzemowej (Si) oraz z węglika krzemu (SiC). W szczególności dokonano pomiarów charakterystyk rezystancji dren-źródło (RDS(ON)) w stanie ustalonym od napięcia bramka-źródło (UGS). Wskazano na istotne różnice w charakterystykach tranzystorów SiC w stosunku do Si. Przedstawiono zastosowaną metodę pomiarową oraz przedyskutowano wyniki.

The paper presents comparison of MOSFET parameters manufactured in standard silicon technology (Si) and silicon carbide (SiC) technology. Drain-source static resistance characteristics (RDS(ON)) as a function of gate-source voltage have been measured. Important differences in both transistor types characteristics were highlighted. Measurement method has been presented.