Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  Power Losses
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań pokazujące możliwości wykorzystania baterii kondensatorów zainstalowanych wewnątrz sieci SN (w odbiorców przemysłowych), w celu zminimalizowania strat mocy w sieci elektroenergetycznej. Wyniki analizy pozwoliły określić, które ze stosowanych obecnie kryteriów regulacji jest najbardziej korzystne. Wskazywano również na konieczność koordynacji działań regulatorów transformatora i baterii kondensatorów.
EN
One of the main issues related to the optimization of the MV network is to reduce losses of active and reactive power. Lower losses of active and reactive power give not only economic advantage, but also improvement of energy quality. The object of regulation that can be used for these purposes are transformer with On-Load Tap Changer and capacitor's banks. This paper presents results of analysis of the possibility of using capacitor banks installed inside the MV network (in industrial consumer) in order to minimize power losses in the power network. The results of analysis allowed to determine which of the criteria adjustment: constant voltage or maintain constant values tgφ, in individual buses is better. It was also pointed to the necessity of the coordination between actions of regulators of the transformer and capacitor banks.
2
Content available remote Nowe niskostratne drajwery tranzystorów MOSFET mocy
PL
W artykule przedstawiono analizę właściwości, badania eksperymentalne i realizację wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Przebadano dwa scalone, wysokoczęstotliwościowe drajwery dostępne na rynku o ozna-czeniachDEIC420 i DEIC515 oraz zaprojektowano dwa dyskretne układy własnej konstrukcji. Badania eksperymentalne przeprowadzono pod kątem analizy strat mocy oraz czasów przełączeń poszczególnych układów.
EN
This paper presents a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications. In the project tested two inte-grated drivers DEIC420, DEIC515, and additionally two discrete drivers 8xUCC27526and 4xFDMQ8203have been designed. The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.