Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Metrology and Measurement Systems

1 2005

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Photoinducted Transient Spectroscopy (PITS)

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Intelligent measuring system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy

Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M.

Metrology and Measurement Systems

2005

Vol. 12, nr 2

207-228

An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures. The spectral analysis is carried out by two independent methods: the two-dimensional correlation procedure and the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. Parameters of a defect centre are determined using the neural network algorithm which is based on two hidden neurons in the form of two-dimensional sigmoid functions used to obtain a morphological match of the approximating function to the shape of the fold on the spectral surface. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure of high-resistivity semiconductors.

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy dedykowany do charakteryzacji centrów defektowych w materiałach półizolujących. Działanie systemu polega na rejestracji relaksacyjnych przebiegów fotoprądu w szerokim zakresie temperatur oraz realizacji dwuwymiarowej analizy temperaturowych zmian stałych czasowych tych przebiegów. Analiza widmowa przeprowadzana jest za pomocą dwóch niezależnych metod: dwuwymiarowej procedury korelacyjnej i procedury wykorzystującej odwrotną transformatę Laplace'a. Parametry centrów defektowych wyznaczane są za pomocą sieci neuronowej, która złożona jest z dwóch neuronów w postaci dwuwymiarowych funkcji tangensa hiperbolicznego i realizuje morfologiczne dopasowanie funkcji aproksymującej do kształtu fałdy na powierzchni widmowej. Wartości parametrów centrów defektowych otrzymywane są jako wartości parametrów aproksymatora po procesie dopasowania. Przedstawiono przykłady zastosowania systemu do badania centrów kompensujących w półizolującym InP oraz centrów radiacyjnych w krzemowych, wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych napromieniowanych protonami o dużej energii. Porównano strukturę defektową SI InP domieszkowanego żelazem w procesie monokrystalizacji oraz strukturę defektową SI InP, którego półizolujące właściwości otrzymano w wyniku długotrwałej obróbki termicznej w atmosferze par fosforu. W krzemowych warstwach epitaksjalnych określono zmiany struktury defektowej w funkcji dawki protonów.