PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  PLECS
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza
Górecki Piotr, Bielecka Agata, Wojciechowski Daniel
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 2
16--19
PL
W pracy przedstawiono wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza. Przedstawiono sposób modelowania tranzystora IGBT w programie PLECS, a także sprawdzono jak należy opisywać jago właściwości statyczne by uzyskać dobrą dokładność obliczania temperatury wnętrza tego tranzystora. Wykonano obliczenia i określono wartości błędu względnego wyznaczania przyrostu temperatury wnętrza dla różnych sposobów odwzorowania jego charakterystyki wyjściowej.
EN
In the paper, an influence of complexity of a thermal library of IGBT in PLECS on the accuracy of computing its junction temperature is presented. The modeling method of IGBT in PLECS is presented, and it is also showed how to describe the static properties of the IGBT to obtain good accuracy of computing junction temperature of the transistor. Appropriate analyzes were carried out in PLECS and the relative error values of determining the IGBT junction temperature increase are determined for various manners of mapping its output characteristics.
2
Content available remote Ocena przydatności modeli firmy Infineon do modelowania tranzystorów IGBT
Górecki Paweł
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
134--137
PL
W pracy przedstawiono ocenę przydatności wybranych modeli tranzystora IGBT, które są dostępne na stronie firmy Infineon. Przedstawiono strukturę rozważanych modeli, przy wykorzystaniu których przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk tranzystora IGBT. Uzyskane przy wykorzystaniu rozważanych modeli wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów uzyskanymi dla różnych warunków pracy tego elementu.
EN
In this paper, evaluation of accuracy of the selected models of IGBT, which are available at Infineon web-site is presented. Structures of the considered models and results of computations made using these models are presented. Obtained results of computations are compared with results of measurements made for different operating conditions of the IGBT.
3
Content available Comparison between thermal simulation results generated by PLECS software and laboratory measurements
Mysiński Wojciech, Sysło Bartłomiej
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2019
|
No. 99
29--40
EN
This article deals with the subject of simulation of power losses and thermal processes occurring in semiconductors, as illustrated by an example of a DC/DC buck converter. The simulations were performed in PLECS software. The results obtained from the program were compared with measurement results of a laboratory converter model. The physical model is based on the same components as assumed in the simulation. Similarly, the parameters of the transistor control signal were the same. During operation of the converter, the temperature changes were analyzed using a K-type thermocouple. Based on the obtained results of the temperature measurement in the steady state of the converter operation, the correctness of the simulation carried out in the PLECS program was verified and confirmed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.