Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  PIPE
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawiono analizę możliwości szacowania czasu wykonania pętli programowych wykonywanych w sposób sekwencyjny i zrównoleglony z wykorzystaniem transformacji pętli FAN, PAR i PIPE oraz modelu T. Lewisa, a także przedstawiono propozycję dopasowania parametrów tego modelu do nowoczesnej architektury procesorów. Uzyskanie prawidłowych wartości parametrów (r0, r1 w0, w1) jest utrudnione z powodu braku wyłącznego i stałego dostępu do procesora. Niedokładne oszacowanie parametrów wpływa na wyniki uzyskane dla modeli przedstawionych w [1]. Zamiana parametrów przedstawionych w [1] na parametry zaproponowane w artykule umożliwia dokładniejsze oszacowanie czasu wykonania pętli programowych. Poprzez wprowadzenie zaproponowanych parametrów do modeli szacowania czasu wykonywania pętli zarówno sekwencyjnych jak i zrównoleglonych zmniejszono błąd szacowania przyspieszenia i wyniósł on od 30% dla pętli FAN do 79% dla pętli PIPE.
EN
Article presents T. Lewis models for estimating the execution time and the speedup of program loops depending on a hop transformation. Adapting the mathematical models to the current processor architectures in order to obtain preciser results is described. The results of comparison the estimated values to the real time of the loop execution are presented.
PL
Omówiono zastosowanie metody PIPE (Particie Induced Photon Emission) do wyznaczania rozkładów głębokościowych domieszek. Omawiana metoda pozwala również na dość dokładne wyznaczanie współczynników rozpylania... Artykuł zawiera opis stosowanej aparatury, krótkie omówienie procedury pomiarowej, oraz porównanie otrzymanych wyników z symulacjami komputerowymi.
EN
The application of PIPE (Particle Induced Photon Emission) method for dopant depth profiling is described. The method gives also a possibility to determine sputtering yields for targets. The paper contains the description of an experimental setup and the applied method, as well as the comparison of the obtained results with computer simulations.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.