Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat

Klamka J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 6

40-46

PL

Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.

EN

In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.

2

Backscattered electrons topographic mode problems in the scanning electron microscope.

Kaczmarek D.

Optica Applicata

|

2001

|

Vol. 31, nr 3

649-658

EN

The application of several backscattered electron (BSE) detectors makes it possible to separate topographic (TOPO) contrasts and material (COMPO) contrasts in a 'scanning' electron microscope (SEM). The BSE signals from six p-i-n diodes were used to investigate some artifacts connected with the reconstruction of real topography. The location of these diodes had been predicted theoretically to obtain algebraic formulas for the appropriate mixing of the BSE signal from the detectors. The specimen surface was specially prepared for estimation of the surface reconstruction quality. The TOPO mode in the SEM was realized with the use of analog and digital methods. The experimental and theoretical analysis indicates that the signal difference from the detector placed at higher angles (in relation to x axis) is preferable for topography reconstruction. The goal-of this paper is to discuss some ways of eliminating the artifact that-the structures parallel to the connection lines of diametral detectors can only be imaged with less contrast.

3

40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce

Klamka J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 8/9

11-21

PL

W pracy przedstawiono historię i zarys rozwoju półprzewodnikowej elektroniki mikrofalowej w Polsce. Znajdują się tu informacje o waraktorach, diodach lawinowych, diodach Gunna, diodach PIN, diodach ładunkowych i ograniczających, diodach Schottky'ego, a także podzespołach mikrofalowych wytwarzanych w Pionie Mikrofal a ostatnio w Zakładzie Elektroniki Mikrofalowej w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie.

EN

In this paper the history and development of the microwave electronics in Poland is presented. On can find the information about varactors, avalanche diodes, Gunn Diodes. PIN diodes, step - recovery diodes, limiter diodes, Schottky diodes, transistors and microwave subsystems producer in Microwave Division of Institute of Electron Technology in Warsaw.