Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: OTA wzmacniacz

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Design of high frequency OTA in 130 nm CMOS technology with single 1.2 V power supply

Pankiewicz B., Madej M.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

2010

T. 18

403-408

In this paper, a CMOS operational transconductance amplifier (OTA) for low power supply voltage and VHF continuous time filtering applications is described. The input stage of the proposed circuit is based on CMOS inverters. The transconductance of OTA is tuned using the bulk effect of transistors. A tuning circuit is also discussed. A good frequency behavior of the described OTA is obtained due to the lack of internal nodes. In order to enhance a DC voltage gain of the open loop OTA, a negative resistance circuit is employed. This circuit is also tuned. The proposed amplifier was designed and simulated using the UMC (United Microelectronic Corp., Taiwan) 130 nm process with the 1.2 V supply voltage. The OTA was used in the application of a third order Gm - C elliptic filter. SPECTRE simulation results show the cutoff frequency of about 800 MHz and the THD less than - 40 dB for the output voltage up to 0.5 Vpp.

W artykule przedstawiono wzmacniacz transkonduktancyjny OTA zasilany niskim napięciem i przeznaczony do użycia w filtrach czasu ciągłego w zakresie wysokich częstotliwości przetwarzanych sygnałów. Stopień wejściowy zbudowany jest w oparciu o inwertery CMOS. Wartość transkonduktancji wzmacniacza jest przestrajana z wykorzystaniem efektu podłożowego tranzystorów. Omówiono również układ dostrajania wzmacniacza. Brak wewnętrznych węzłów zapewnia dobre charakterystyki częstotliwościowe wzmacniacza. W celu osiągnięcia wysokiego wzmocnienia napięciowego, stopień wejściowy wzmacniacza został obciążony układem o ujemnej rezystancji. Opisany układ zaprojektowano oraz wykonano symulacje po ekstrakcji topografii z użyciem technologii UMC (United Microelectronic Corp., Taiwan) 130 nm przy napięciu zasilania 1,2 V. Jako przykład zastosowania wzmacniacza zaprojektowano dolnoprzepustowy filtr eliptyczny trzeciego rzędu. Symulacje z użyciem oprogramowania SPECTRE wykazały częstotliwość odcięcia równą 800 MHz i zniekształcenia THD wynoszące mniej niż -40 dB dla napięcia wyjściowego o wartości 0,5 Vpp.