Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  NiS2
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Badania typu zdefektowania dominującego w disiarczku niklu NiS2
PL
W celu określenia typu dominującego zdefektowania sieci krystalicznej NiS2, zbadano mechanizm powstawania tego siarczku stosując metodę markerów. Badania te przeprowadzono w zakresie temperatur 823-923 K przy prężności par siarki 103-104 Pa. Stwierdzono, że markery złota naniesione przed reakcją na powierzchnię fazy NiS znajdują się po zakończeniu procesu siarkowania w połowie grubości warstwy produktu reakcji (NiS2). Wynik ten oznacza, że dominujące zdefektowanie w badanym siarczku występuje w obrębie podsieci kationowej.
EN
In order to elucidate the predominant disorder in the crystalline lattice of NiS2, the mechanism of sulphidation of NiS has been studied using marker technique. Experiments have been carried out in the temperature range 823-923 K in sulphur vapors under pressure between 103-104 Pa. It has been found that gold markers deposited on the surface of NiS substrate have been found after sulphidation in the interior of the NiS2 product layer, just in the middle of the thickness of it. These results have demonstrated that predominant defects in NiS2 disulphide occur in the cation sublattice.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.