Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Ni-Cu-P

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P

Kowalik P., Pruszowski Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

12-14

W niniejszej pracy zaproponowano wieloetapową metalizację celem osiągnięcia minimalnej rezystancji końcowej warstwy rezystywnej zawierającej amorficzny stop Ni-P oraz porównano Temperaturowy Współczynnik Rezystancji warstwy rezystywnej o identycznej rezystancji lecz osiągniętej metodą jedno i wieloetapową stwierdzając znaczące obniżenie tego współczynnika jeśli proces prowadzi się metodą wielostopniowej metalizacji.

In this paper the authors proposed a new technology of producing Ni-Cu-P amorphous layers characterized by minimized concentration of Cu. The authors found out that such an alloy, obtained by reducing Cu and Ni ions in an acid bath in the presence of complexons, can be used to produce resistors whose resistance is below 1 Ω. Resistors obtained in this process are characterized by TCR below 10 ppm/K if the process of thermal stabilization of the final product is conducted under the temperature ranging from 160 °C to 180 °C.