Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Optica Applicata

1 Jia Y.
1 Lin T.
1 Ma X.
1 Wang C.L.
1 Wang J.
1 Wang Y.
1 Wei Z.Y.
1 Zhen K.
1 Zhong L.

1 2006

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Nd:YVO4 laser

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

GaAs absorber grown at low temperature used in passively Q-switched diode pumped solid state laser

Wang Y., Ma X., Wang C.L., Lin T., Zhen K., Wang J., Zhong L., Jia Y., Wei Z.Y.

Optica Applicata

2006

Vol. 36, nr 1

23-28

We report, for the first time to the best of our knowledge, on a passively Q-switched Nd:YVO4 laser with a GaAs absorber grown at low temperature (LT) by metal organic vapor phase expitaxy. Using the LT GaAs absorber as well as an output coupler, a passively Q-switched laser whose pulse duration is as short as 90 ns was obtained.