Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: NAND

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Problematyka stosowania nowoczesnych pamięci cyfrowych w systemach rejestracji parametrów lotu

Kordowski P., Cuper W., Nowakowski M.

Modelowanie Inżynierskie

2016

T. 28, nr 59

34--39

Artykuł przedstawia ogólną problematykę stosowania nowoczesnych pamięci nieulotnych w systemach rejestracji parametrów lotu. We wstępie zawarte jest porównanie działania współczesnych układów flash pod kątem wymagań stawianych nowoczesnym rejestratorom katastroficznym. Następnie opisane są opracowane algorytmy, które pozwalają na zastosowanie pamięci cyfrowych w układach wymagających niezawodności i rzetelności przechowywanych informacji. Dodatkowo uwidoczniony jest dynamiczny rozwój pamięci cyfrowych oraz funkcjonalność współcześnie stosowanych układów. Treść referatu jest oparta na doświadczeniach pozyskanych podczas procesu projektowania systemów rejestracji parametrów lotu w Instytucie Technicznym Wojsk Lotniczych (ITWL).

The article presents generic issues related with application of modern non-volatile memory in flight data recorders. Preface contains comparison of modern flash chips with respect to requirements of modern flight recorders. Afterwards the lecture describes the developed algorithms that allows to appliance of digital memory into systems requiring high reliability and integrity of stored data. In addition it presenting development of digital storage focused on new functionality. The content of the paper is based on the experience gained during the design process of flight data recorders in the Air Force Institute of Technology.

Scaling of nonvolatile memories to nanoscale feature sizes

Mikolajick T., Nagel N., Riedel S., Mueller T., Kusters K. H.

Materials Science Poland

2007

Vol. 25, No. 1

33--43

he market for nonvolatile memory devices is growing rapidly. Today, the vast majority of nonvolatile memory devices are based on the floating gate device which is facing serious scaling limitations. Material innovations currently under investigation to extend the scalability of floating gate devices are discussed. An alternative path is to replace the floating gate by a charge trapping material. The combination of charge trapping and localized channel hot electron injection allows storing two physically separated bits in one memory cell. The current status and prospects of charge trapping devices are reviewed, demonstrating their superior scalability. Floating gate as well as charge trapping memory cells suffer from severe performance limitations with respect to write and erase speed and endurance driving system overhead. A memory that works like random access memory and is nonvolatile would simplify system design. This, however, calls for new switching effects that are based on integrating new materials into the memory cell. An outlook to memory concepts that use ferroelectric switching, magnetic switching, phase change, or other resistive switching effects is given, illustrating how the integration of new materials may solve the limitations of today's semiconductor memory concepts.