Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: MSM photodetector

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Parametry detektorów MSM wykorzystujących heterostruktury GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs

Zborowska-Lindert I., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Boratyński B., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 2

52-54

W artykule przedstawione zostały parametry fotodetektorów MSM wykonanych na warstwach czynnych GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs. Wszystkie warstwy czynne optycznie wykonane zostały w technologii epitaksji MOVPE. W warstwach GaAsN/GaAs struktura czynna GaAsN miała grubość 100...330 nm, a zawartość atomów azotu mieściła się w zakresie 0,85...2,2%. Struktury MQW InGaAsN/GaAs stanowiły trzy studnie InGa-AsN o grubości 15 nm i zawartości 11% indu rozdzielone barierami GaAs o grubości 30 nm. W pracy przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe detektorów MSM bez i z oświetleniem, co pozwala określić podstawowe parametry wykonanych fotodetektorów. Z uzyskanych wyników widać bardzo wyraźny wpływ składu materiałowego wykonanych heterostruktur na fotoprąd i czułość wykonanych fotodetektorów MSM.

In this paper the comparison of GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs MSM photodetectors has been presented. All of the devices were made by MOVPE technology. The GaAsN/GaAs MSM devices were made on undoped GaAsN layers with concentration of nitrogen varied from 0.85...2.2%. The thickness of these layers was from 100...330 nm. The InGaAsN/GaAs active layer for MSM detectors consisted of triple InGaAsN MQW with 11% of indium in 15 nm thick QWs layers and 30 nm thick GaAs barrier layers. The dark and illuminated l-V characteristics of the designed devices were presented. The photoresponse characteristics have shown a strong influence of material composition on the MSM photocurrent for both GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs heterostructures.

Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

Zborowska-Lindert I., Boratyński B., Paszkiewicz B., Ohly T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

41-43

Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.

Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.