Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
1 Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
1 Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
1 Scientific Papers of The Institute of Electrical Machines, Drives and Measurements of the Wrocław University of Science and Technology Series: Studies and Research

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: MOSFETs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET

Kopyt P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 7

37-41

W artykule przeanalizowano z punktu widzenia projektanta wpływ elementów pasożytniczych występujących w krzemowych tranzystorach polowych typu MOSFET na działanie detektorów promieniowania sub-THz zbudowanych z użyciem takich przyrządów. Zaproponowano obwodowy model przyrządu zewnętrznego, a wartości elementów modelu dobrano w oparciu o typowe dane dostępne w literaturze. Model kanału tranzystora został zbudowany jako odcinek linii długiej opisanej za pomocą macierzy [Z], co ułatwiło zintegrowanie go z elementami pasożytniczymi. Uzyskany w ten sposób opis tranzystora MOSFET zastosowano do zbadania odpowiedzi kanału na pobudzenie sygnałem o częstotliwości sub-THz dostarczanego przez zaciski G i S. Wyniki takiej analizy przeprowadzonej dla tranzystorów MOSFET zintegrowanych z przykładową anteną łatową porównano z danymi uzyskanymi eksperymentalnie dla struktur o różnych wymiarach kanału uzyskując zadawalającą zgodność. Wydaje się zatem, że pomimo nieskomplikowanej budowy zaproponowany model może ułatwić projektowanie nowych detektorów promieniowania sub-THz i pełniejsze zrozumienie ich działania.

In this paper an analysis of parasitic elements that are found in all typical metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) has been performed from a viewpoint of a designer of sub-THz radiation detectors. A simplified model of the extrinsic MOSFET device has been proposed. Typical values of its parameters have been assumed based on literature. The author has also built a model of the MOSFET’s channel (intrinsic device) employing the standard transmission line approach and defining a Z-matrix of the circuit in order to facilitate its integration with the parasitic elements. The full effective circuit model of the MOSFET has been employed to analyze the behavior of the detector when subjected to sub-THz radiation delivered through the Gate and Source pads. Finally, predictions of the responsivity of an example detector built of a typical MOSFET integrated with a patch antenna have been compared with measurements of several structures employing MOSFETs of various channel widths. Good agreement between the predictions and the measurements has been demonstrated, which indicates that despite its simplicity the presented model can significantly help to better understand operation of MOSFET-based detectors and also to improve the design process.

Design of high current fast switching power stage for pmsm servodrives

Nalepa R., Muckian J., Levy H., Kearney M.

Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały

2009

Vol. 63, nr 29

439-446

Practical design and implementation of high performance and high reliability, dual axes, MOSFETs based Voltage Source Inverter (VSI) for two 28 V/500 Apk PMSMs is presented in this paper. An existing drive system based on IGBTs was used as the start point for this work. New power end is presented in brief. Main parasitic components of the power amplifier are identified and discussed. Locations for a standard R and C snubber components are included. Simple and reliable short circuit protection solution for paralleled MOSFETs is presented and its performance is analyzed over wide operating temperature range. Design solutions and experimental results are included and discussed.

Hybrid evolutionary algorithm in MOSFET parameter extraction

Arabas J., Szostak S.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

2008

z. 165

33-41

In this paper we report an on going research on applying evolutionary computation to the identification of technological parameters of MOS transistors (MOSFETs) using the current-voltage measurements. The identification consists in approximating the observed values of the current with the values generated by the transistor model. Values of parameters for which the smallest approximation error is observed are assumed to be the best estimations to the real values. The model is nonlinear and nondifferentiable, and the error function takes multiple local minima with respect to the parameter values. We apply a combination of an evolutionary algorithm together with the Nelder-Mead method to minimize the error function and we experimentally investigate the effectiveness of the proposed approach.