Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: MOSFET modeling

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A rapid analysis of very short channel MOSFET performances by using a dynamic simple model

Rabhi A., El`Hadj Bekka R., Benhamadouche A., Rahmoune F., Charlot J.-J.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

2010

Vol. 1, nr 3

225-228

A simplified MOSFET model is presented in this paper. The performances of the model, UNICELL (Unique Cell Model), are compared to those provided by BSIM3V3 taken as reference, even for very short channel length MOSFET (45 nm). It is shown that using only two UNICELL cells (BICELL) gives a good deal for CAD static and dynamic usage, because of the few number of parameters to be used in comparison to BSIM3. BICELL can also be used for determining internal performance analysis.

Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV

Bartnik Ł., Aarabas J., Szostak S., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 8

258-266

W artykule opisano metodę ekstrakcji parametrów elektrofizycznych tranzystorów MOS. Do tego celu wykorzystany jest model EKV, należący do klasy kompaktowych modeli przyrządów półprzewodnikowych. Został on skonstruowany przede wszystkim dla potrzeb projektowania analogowych układów scalonych MOS, działających w dowolnych warunkach polaryzacji ze szczególnym uwzględnieniem zakresów słabej i umiarkowanej inwersji, a więc zakresów małych wartości prądu i pobieranej energii. Zasada metody ekstrakcji polega na wyznaczeniu takich wartości parametrów tranzystora aby uzyskać jak najlepsze dopasowanie charakterystyk prądowo-napięciowych, uzyskanych z modelu, do charakterystyk zmierzonych. Zadanie ekstrakcji jest więc w swej istocie zadaniem minimalizacji błędu dopasowania, przy czym liczba minimów lokalnych może być znaczna. W artykule przedstawiono wynik zastosowania metody ewolucyjnej, skojarzonej z metodą lokalnej optymalizacji, do efektywnego rozwiązywania zadania ekstrakcji. Przeprowadzono również dyskusję wpływu błędu pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych na możliwość prawidłowej ekstrakcji wartości parametrów.

The paper defines a method to extract electrophysical parameters of MOS transistors with the use of the EKV model, which is a representative of compact models of semiconductor devices. The model was designed for the purpose of Computer Aided Design of analog MOS integrated circuits which work in any polarization conditions, and the specific concern is made on proper modeling of weak and moderate inversion, i.e., small values of the output current. The idea of the extraction method consists in finding such values of the transistor parameters that the best fit is obtained between the voltage current characteristics which have been measured and the characteristics generated by the model. Thus, the extraction task is in its nature the task of minimizing the error of the fitting, and the number of local minima of such objective function can be significant due to nonlinearity of the model. In this contribution, results are presented of applying a hybrid optimization method which comprises and evolutionary algorithm with a nonlinear simplex method by Nelder and Mead. Influence of errors of measurement on the ability to perform proper extraction is also provided.