Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: MOS structures

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modeling the charge trapping effect in high-K gate stacks on the tunnel current

Mazurak A., Majkusiak B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

33-35

Two approaches towards charge trap modeling are presented in the work a charge trap is modeled as a quantum well. The transfer matrix method with inclusion of carrier scattering in the well is used for the tunneling probability calculation. The influence of scattering rate in the well and spatial location of the well in the insulator layer is studied.Then the effect of space distribution of oxide traps on the tunnel current is investigated. Simulated current-voltage characteristics for the two cases are presented and the effect of charge trapping on the tunneling process is discussed.

Przedstawiono dwa sposoby modelowania wpływu pułapkowania ładunku na prąd tunelowy. Aktywna elektrycznie pułapka wewnątrz stosu bramkowego jest reprezentowana przez studnię kwantową. Prawdopodobieństwo tunelowania obliczane jest z wykorzystaniem metody macierzy przejścia, uwzględniając rozpraszanie nośników wewnątrz studni kwantowej. Zaprezentowano wpływ stałej czasowej rozpraszania, geometrycznego położenia studni potencjału oraz dystrybucji przestrzennej centrów pułapkowych na prąd tunelowy. W pracy przedstawiono wyniki symulacji charakterystyk prądowo-napięciowych oraz dyskusję wpływu pułapkowania nośników na proces tunelowania.

Pomiary naprężeń w strukturach MOS metod interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej

Borowicz L. K., Borowicz P., Rzodkiewicz W., Piskorski K.

Pomiary Automatyka Kontrola

2007

R. 53, nr 9 bis

325--328

Zmierzone parametry elektryczne struktur MOS wskazują na obecność naprężeń mechanicznych panujących w tlenku pod powierzchnią bramki metalowej. Przyjęto do badań dwie metody optyczne: elipsometrii i mikro-interferometrii. Do oceny ugięcia prążków interferencyjnych spowodowanego zmianami drogi optycznej w warstwie dielektryka pod wpływem naprężeń stworzono oprogramowanie komputerowe oparte na regresji nieliniowej. Inny sposób oceny tej wielkości wykorzystuje ekwidensytometrię. Pomiary optyczne pozwoliły wyznaczyć niektóre składowe tensora naprężeń w warstwie dielektryka sąsiadującej z krawędzią bramki.

Observed changes in some electrical parameters of MOS structures indicate existence of stresses in SiO2 layer under aluminum gate. In order to find out why these parameters were changed, we have studied optical properties of the dielectric in the vicinity of metal and poly-silicon gate.