Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: MOS power transistors

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS

Górecki K., Zarębski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2009

R. 85, nr 4

159-164

W pracy przedstawiono problem wyznaczania wartości parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy oraz zaprezentowano i przedyskutowano wyniki pomiarów ilustrujących wpływ takich czynników, jak rodzaj obudowy, wielkość radiatora, ułożenie przestrzenne badanego tranzystora oraz wydzielanej w nim mocy na rezystancję oraz przejściową impedancję termiczną. Przedstawiono również wyniki pomiarów rozkładu temperatury na powierzchni nieobudowanej struktury tranzystora MOS mocy przy różnych warunkach chłodzenia tego elementu.

In the paper the problem of measurements of the thermal parameters values of MOS power transistors is considered. The results of measurements showing the influence of such factors as the type of the case, the dimensions of the heat-sink, the orientation of the investigated transistor and the dissipated power on the thermal resistance and the transient thermal impedance of the device are presented and discussed. The measurements results of the temperature distribution on the surface of the uncapsulated MOS power transistor chip for different cooling conditions of this device are presented, too.