Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: MOS dwubramkowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie napięcia progowego w niedomieszkowanych dwubramkowych strukturach MOS

Sałek P., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 2

18-20

Współczesna technologia mikroelektroniczna zaczyna sięgać ograniczeń o charakterze przyrządowym. Coraz mniejsze rozmiary przyrządów powodują uwidocznienie efektów krótkiego kanału (SCE) oraz jednoczesny wzrost statystycznych rozrzutów parametrów elektrycznych związanych np. z fluktuacją liczby atomów domieszek w obszarze aktywnym tranzystora. Jednym ze sposobów rozwiązania tych problemów jest niedomieszkowana struktura dwubramkowa (DGMOS). Ze względu na brak domieszek klasyczna definicja napięcia progowego traci sens. W artykule tym zaproponowano nową definicję, której użyteczność została udowodniona przez porównanie z wynikami symulacji numerycznych.

Modern microelectronic technology reaches its fundamental limits. Smaller dimensions of devices cause negative side effects, like short channel effects (SCE) and increase of statistical spread of electrical parameters due to random-dopant fluctuations. Undoped double-gate (DG) structure (Fig. 1) is a likely candidate to replace conventional MOSFET. Better SCE control and homogeneous channel allows more aggressive scaling of the dimensions. The standard threshold definition is no longer valid in undoped devices, therefore a new threshold voltage model is proposed for symmetrical undoped double gate MOS transistor (DGMOSFET).