The paper deals with a problem of measuring of the thermal parameters - the thermal resistance and the transient thermal impedance of MESFETs made of both the gallium arsenide (GaAs-MESFET) and silicon carbide (SiC-MESFETs). The measuring set proposed by the authors, is presented. SiC and GaAs MESFETs operating at different cooling conditions are investigated. The strong influence of the ambient temperature and the device dissipated power on the device thermal parameters are observed. The new analytical dependence of the MESFET thermal resistance on the ambient temperature and the dissipated power is proposed.
PL
Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych - rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.
In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.