Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Lambert function

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Solar cell parameters extraction optimization using Lambert function

Aichouba Mohammed El Amine, Rahli Mustapha

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 4

227--231

Solar cells are characterized by internal electrical parameters not displayed by the manufacturer. Their identification is necessary because it allows the photovoltaic system simulation and optimization. Currently, the new and simple extraction methods development is a challenge for researchers. In this work, a new approach is presented for exact determination the single-diode model multi-crystalline silicon cell five parameters. Our method consists in calculating the parameters from the ideality factor estimation using the Lambert function and the parasitic resistances curve (series and shunt). Absolute and relative errors are also calculated to show the proposed method importance over another method.

W artykule zaprezentowano mtodę opisu matematycznego obwodu fotowoltaicznego. Metoda polega na opisie parametrów z wykorzystaniem funkcji Lamberta. . Określono błąd przybliżenia tego modelu matematycznego.

Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n

Jung W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

25-27

W artykule przedstawiono metodę wyznaczania podstawowych parametrów złącza p-n, takich jak współczynnik idealności n, prąd nasycenia Is, rezystancja szeregowa Rs, oraz przewodność równoległa Gp. Podstawą metody jest dokładne analityczne rozwiązanie równania na przepływ prądu w złączu p-n z uwzględnieniem rezystancji szeregowej i przewodności równoległej za pomocą funkcji Lamberta. Praktyczne wykorzystanie metody pokazano na przykładzie diody krzemowej.

This paper presents the method of determining the basic parameters of the p-n junction, such as the ideality factor n, the saturation currentI/s, series resistance Rs, and parallel conductance Gp. The basis of the method is accurate analytic solution of the equation for current flow in the p-n junction with regard to series resistance and parallel conductance using Lambert function. Practical use of the method is shown on the example of silicon diode.