Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Opto-Electronics Review

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: LWIR photodiode array

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Changes in 8-12 μm Hg₁₋xCdxTe photodiode arrays caused by fast neutron irradiation

Lysiuk I. O., Gumenjuk-Sichevska J. V., Dvoretsky S. A., Varavin V. S.

Opto-Electronics Review

2010

Vol. 18, No. 3

342-344

We have measured the current-voltage characteristics of the long-wavelength infrared (LWIR) photodiode array, formed on the epitaxial Hg₁₋xCdxTe film (x = 0.21-0.23) with a high concentration of the Shockley-Read-Hall centres, before and after irradiating it with fast neutrons (energy 1 MeV, dose 5×10¹³ cm⁻²) at room temperature. Residual changes in current-voltage characteristics, persisting after 20 days, have been identified. Model calculations indicate that the Shockley-Read-Hall centre concentration increases 2-4 times, and the carrier lifetime decreases 2-5 times after the irradiation.