PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  LPE
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Laboratorium Eksperymentów Fizycznych
Spustek H.
Logistyka
|
2014
|
nr 6
9912--9917
PL
W artykule poruszono problem modelowania zjawisk fizycznych przy użyciu oprogramowania Matlab – Simulink firmy The MathWorks, Inc z siedzibą w USA. Pakiet Matlab – Simulink umożliwia modelowanie, symulację i analizę systemów o zmiennej dynamice. Simulink stanowi kompletne środowisko programistyczne przystosowane do modelowania i implementacji systemów dynamicznych. Otwarta architektura umożliwia wykonanie modelu i zintegrowanie go z innymi środowiskami. Przedmiotem zainteresowania autora jest implementacja komputerowa modelu ruchu jednostajnie przyspieszonego w odniesieniu do wybranego problemu mechaniki klasycznej. Pokazane tutaj zagadnienie wchodzi w zakres Laboratorium Eksperymentów Fizycznych (LEF) budowanego w ramach kierunku studiów inżynieria bezpieczeństwa w Wyższej Szkole Oficerskiej Wojsk Lądowych imienia generała Tadeusza Kościuszki we Wrocławiu.
EN
The paper addresses the issue of modeling of the physical phenomena by using the the software Matlab – Simulink of The MathWorks Inc. Matlab – Simulink to model, simulate and analyze systems with variable dynamics. Simulink provides a complete development environment for modeling and implementation of dynamic systems. Open architecture allows execution model and integrate it with other environments. The focus of the author is to implement a computer uniformly acceleration motion model for selected problem of the classical mechanics. The issue is the subject of exercises of the Laboratory of Physical Experiments (LPE) built under the direction of engineering safety studies at the General Tadeusz Kosciuszko Military Academy of Land Forces in Wroclaw.
2
Content available Rozpuszczalność granatu itrowo – glinowego w topniku PbO/B2O3
Sarnecki J.
Materiały Elektroniczne
|
2013
|
T. 41, nr 1
33--46
PL
Praca dotyczy analizy rozpuszczalności kryształów Y3Al5O12 (YAG) w stopionej mieszaninie PbO-B2O3. Analizę przeprowadzono wykorzystując przedstawiony przez van Erk'a model, w którym założono, że rozpuszczona faza granatu tworzy z rozpuszczalnikiem PbO-B2O3 ciecz jonową. Określono zależności między iloczynem rozpuszczalności YAG bez domieszek oraz domieszkowanego jonami ziem rzadkich i galu a temperaturą nasycenia roztworu wysokotemperaturowego, z którego zachodziła epitaksja warstw YAG. Z wyznaczonych doświadczalnie zależności określono wartość entalpii rozpuszczania kryształów YAG.
EN
This work is devoted to the analysis of the solubility of Y3Al5O12 crystals in a molten mixture of PbO-B2O3. The analysis was performed using the model proposed by Van Erk, which assumed that the dissolved garnet phase formed an ionic fluid with PbO-B2O3. The relation between the solubility product of YAG substituted by rare earth or gallium ions and non-substituted YAG and the saturation temperature of a high-temperature solution suitable for the epitaxial growth of YAG layers was determined. The value of the solution enthalpy of the YAG phase was estimated from this empirical relation.
3
Content available Określenie koncentracji i współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG
Sarnecki J.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 4
35-47
PL
Korzystając z wyników pomiarów dyfraktometrycznych określono niedopasowanie sieciowe pomiędzy warstwą i podłożem w zależności od składu warstw YAG domieszkowanych jonami ziem rzadkich. Z wyznaczonych wartości różnic stałych sieciowych oszacowano koncentrację jonów ziem rzadkich domieszkujących warstwy YAG oraz określono współczynniki segregacji tych jonów. Szerokość pików dyfrakcyjnych posłużyła do oceny jakości strukturalnej warstw.
EN
Using X-ray diffraction measurements, the lattice mismatch between the layer and the substrate was determined as a function of composition of YAG layers doped with rare earth ions. The determined values of the difference between the film and substrate lattice constants allowed the estimate of the concentration of the rare earth ions in the YAG epitaxial layers and determination of the segregation coefficients of these ions. The width of the diffraction peaks was used to evaluate the structural quality of the layers.
4
Content available Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG
Sarnecki J.
Materiały Elektroniczne
|
2009
|
T. 37, nr 3
30-43
PL
Określono warunki wzrostu epitaksjalnego warstw YAG i GGG zawierających wybrane jony metali przejściowych z grupy żelaza o założonej wartościowości. Warstwy osadzane metodą epitaksji z fazy ciekłej domieszkowano jonami chromu, kobaltu i niklu. Z widm absorpcyjnych warstw wynika, że koncentracja w warstwach centrów Cr4+, Cr3+, Co3+, Co2+ oraz Ni2+ i zajmowane przez te jony pozycje w sieci zależą od wyjściowego stosunku ułamka molowego w roztworze wysokotemperaturowym tlenku metalu przejściowego i tlenku jonu kompensującego ładunek. Wyznaczono wartość współczynnika absorpcji warstw w zależności od składu roztworu wysokotemperaturowego.
EN
Liquid phase epitaxy from high temperature solution was used to grow YAG and GGG epitaxial layers doped chromium, cobalt and nickel ions with required valency. Analysis of the absorption spectra shows the influence of transition metal oxide and charge compensator oxide molar ratio in the high temperature solution on the concentration and sites occupancy of Cr4+, Cr3+, Co3+, Co2+ and Ni2+ ions in YAG and GGG layers. The dependence between composition of high temperature solution and layer absorption coefficients was estimated.
5
Content available remote Epitaxial RE³⁺:YAG planar wavequide lasers
Malinowski M., Sarnecki J., Piramidowicz R., Szczepański P., Woliński W.
Opto-Electronics Review
|
2001
|
Vol. 9, No. 1
67-74
EN
The intereset in increasing signal speed, lowering optical losses and reducing power requirements led to the integration and miniaturisation of the optoelectronics components. Planar optical devices play an increasingly important role as the components for fibreoptic communication and optical computing systems. Their purpose is to couple, switch, modulate, amplify or generate optical signal. Recent important development is successful operation of planar wavequide amplifiers and lasers that could be easily coupled to fibre components. Several wavequide fabrication techniques are employed depending on host material, including semiconductor materials, dielectric crystals and glasses. In this work the basic problems related to active wavequide fabrication and properties will be discussed. We also report the spectroscopic and laser properties of the Nd³⁺:YAG/YAG epitaxial thin films obtained in ITME laboratory in Warsaw.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.