Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Analysis and optimization of LUDMOS transistors on a 0.18um SOI CMOS technology

Toulon G., Cortés I., Morancho F., Villard B.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

|

2010

|

Vol. 1, nr 1

3-8

EN

This paper is focused on the design and optimization of power LDMOS transistors (V br > 120 Volts) with the purpose of being integrated in a new generation of Smart Power technology based upon a 0.18 μm SOI-CMOS technology. The benefits of applying the shallow trench isolation (STI) concept along with the 3D RESURF concept in the LDMOS drift region is analyzed in terms of the main static (Ron-sp/Vbr tradeoff) and dynamic (Miller capacitance and QgxRon FOM) characteristics. The influence of some design parameters such as the polysilicon gate electrode length and the STI length are exhaustively analyzed.

2

Mikrofalowe tranzystorowe wzmacniacze nadawcze dużej mocy

Wojtasiak W.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

2003

|

Vol. 23, nr 7-8

16-20

PL

Mikrofalowe wzmacniacze dużej mocy są podstawowym elementem większości urządzeń nadawczych systemów radiolokacyjnych i radiokomunikacyjnych. Przedstawiono najnowsze osiągnięcia technologii mikrofalowych tranzystorów dużej mocy LDMOS i push-pull GaAs FET, istotne elementy procesu projektowania stopni dużych mocy, opartego na analizie nieliniowej elementu aktywnego oraz przykłady wzmacniaczy zastosowanych w układach nadwczych.

EN

The high power solid-state amplifiers are widely used in many microwave systems as radiolocation, mobile communications, wireless LAN, satellite communications. This paper describes the modern performances of microwave transistor technology, the design process and the structure of high power amplifiers and the example worked out circuits.

3

Tranzystory mikrofalowe : technologia, parametry i zastosowania

Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 7/8

32-34

PL

Przedstawiono przegląd najnowszych osiągnięć technologii półprzewodników w zakresie produkcji tranzystorów mikrofalowych. Analiza parametrów i możliwości zastosowań tranzystorów mikrofalowych została oparta na własnych badaniach eksperymentalnych realizowanych w ramach projektu KBN nr 7 T11B 044 20. Zaprojektowano i wykonano szereg takich układów jak: generatory VCO, syntezery PLL/DDS, wzmacniacze nadawcze dużej mocy oraz odbiorcze - niskoszumne (LNA). W projektach wykorzystano opracowane modele tranzystorów, które uwzględniają efekty temperaturowe symulowane metodą FDTD-3D.

EN

In this paper, the overview of microwave transistors technology performances is presented. The parameters and properties of the chosen transistors based on self-investigations and designs were analysed. For this purpose, a lot of circuits such as: VCOs, high power amplifiers and LNAs were designed. The self-invented temperature models based on 2D and 3D FDTD method for thermal problems were applied.