PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 14

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  JFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck
Ptak Przemysław, Górecki Krzysztof, Klewer Dawid
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 9
285--288
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ doboru tranzystora mocy wykonanego w technologii krzemowej (Si) oraz azotku galu (GaN) na właściwości zasilacza sterowanego cyfrowo z przetwornicą DC-DC typu reverse buck. Przedstawiono i krótko opisano najważniejsze bloki funkcjonalne skonstruowanego układu. Przedyskutowano wybrane zależności wielkości charakteryzujących badany zasilacz od prądu obciążenia.
EN
This paper presents the results of measurements illustrating the effect of selecting a power transistor made in silicon (Si) and gallium nitride (GaN) technology on the properties of a digitally controlled power supply with a reverse buck DC-DC converter. The main functional blocks of the developed system are presented and briefly described. Selected dependencies of quantities characterizing the studied power supply on load current are described.
2
Content available remote Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Bargieł Kamil
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
131--133
PL
W pracy omówiono problem modelowania wpływu wybranych czynników na właściwości tranzystora polowego wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono badanie przydatności wbudowanego modelu tranzystora JFET w programie SPICE do analizy właściwości tego przyrządu półprzewodnikowego. Przedstawiono obliczenia zmodyfikowanym modelem tranzystora JFET z węglika krzemu, pokazujące poprawę dokładności modelowania. Ocenę dokładności zmodyfikowanego modelu przeprowadzono przez porównanie zmierzonych i obliczonych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
EN
The paper discusses the problem of modelling the influence of selected factors on the properties of a field effect transistor made of silicon carbide. A study of the suitability of the built-in model of the JFET transistor in SPICE to analyze the properties of the semiconductor device. Calculations with a modified model silicon carbide JFET are presented. Showing an improvement in modelling accuracy. The accuracy of the modified model was performed by comparing the measured and calculated capacitive-voltage characteristics.
3
Content available remote Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Bargieł Kamil, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 1
231--234
PL
W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
EN
In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.
4
Content available remote Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Bargieł K., Bisewski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
63--66
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.
5
Content available Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET
Bargieł K., Bisewski D.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2018
|
No. 95
67--76
PL
W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.
EN
In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.
6
Content available remote Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET
Bargieł K., Bisewski D., Zarębski J., Szarmach E.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
157--167
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.
EN
In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.
7
Content available remote Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
Giziewski S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 12b
287-290
PL
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/žs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.
EN
The paper presents design and testing of a three-phase voltage inverter built with application of silicon carbide (SiC) Schottky diodes and SiC JFET transistors. Shorter switching times of these elements in comparison with IGBTs and diodes based on a silicone (Si) makes it possible operation with a frequency of 100 kHz and higher. High rate of change of power devices voltages, up to several dozen of kV/žs causes EMC and EMI problems. High-frequency converters with SiC JFET transistors gives new capabilities in control of high-speed electric motors.
8
Content available remote Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
Giziewski S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 4b
76-79
PL
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają na budowę przekształtników o sprawności blisko 98%. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/�[mikro]s powoduje problemy EMC oraz EMI.
EN
The paper presents the design and testing of three-phase voltage inverter built using silicon carbide (SiC) Schottky diodes and SiC JFETs. Lower switching times of these elements compared to IGBTs and diodes based on silicone (Si) allow operation with a frequency of 100 kHz and higher. Low switching energy and drain resistance allows for the construction of converters with an efficiency almost 98%. High rate of change of power devices voltages, up to hundreds of kV/[micro]s cause EMC and EMI problems.
9
Content available remote Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań
Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 4b
187-192
PL
Artykuł przedstawia przegląd rozwiązań sterowników bramkowych tranzystorów mocy z węglika krzemu. Omówiono kolejno przypadki tranzystorów złączowych (JFET): normalnie załączonych a także normalnie wyłączonych oraz sterowniki prądu bazy dla tranzystorów bipolarnych (BJT). Przedstawiono także wyniki badań eksperymentalnych – przebiegi prądów i napięć zarejestrowane w trakcie testów dwupulsowych, obrazujące procesy łączeniowe dla każdego z omawianych tranzystorów.
EN
The paper presents an overview of the gate drive units for Silicon Carbide power transistors. Solutions for two types of Junction Field Effect Transistors: normally-on and normally-off as well as base drive units for bipolar transistors (BJTs) are described. Experimental results – waveforms of the currents and voltages recorded during double-pulse tests are presented in order to illustrate switching behavior of discussed transistors.
10
Content available remote Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes
Rąbkowski J., Barlik R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11a
116-119
EN
This paper describes the design, construction and tests of 2kVA three-phase Current Source Inverter with Silicon Carbide (SiC) JFETs and Schottky diodes. Low forward voltage drops and switching energies of SiC elements result in the switching frequency increase to 100kHz and passive elements, especially inductors, are significantly reduced. Operation of the 2kVA/400VDC/3x400VAC model is illustrated by laboratory test results – measured efficiency at nominal power was 96,55%.
PL
Artykuł przedstawia projektowanie, konstrukcję i badania trójfazowego falownika prądu o mocy 2kVA zbudowanego z użyciem elementów z węglika krzemu: diod Schottky’ego i tranzystorów JFET. Małe spadki napięcia i energie przełączeń tych elementów pozwalają zwiększyć częstotliwość pracy układu do 100kHz. W efekcie elementy bierne obwodu, ze szczególnym uwzględnieniem dławików zostały znacząco zmniejszone. Działanie modelu 2kVA/400VDC/3x400VAC jest zilustrowane wynikami badań laboratoryjnych, sprawność układu przy mocy nominalnej wynosi 96,55%.
11
Content available remote Simulation based feasibility study of Junction Vertical Slit Field–Effect Transistor (JVeSFET)
Pfitzner A., Staniewski M., Strzyga M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11a
59-63
EN
This paper presents simulated DC characteristics of deep-submicron JFETs conforming to the principle of extreme layout regularity, that is a foundation of a new Vertical Slit geometry ICs (VeSTICs) vision proposed in [4]. Exploration of parameter space of this fully symmetrical dual gate JVeSFETs has been performed. As a conclusion an assessment of applicability of these devices in nano-size era SoCs is proposed.
PL
W pracy przedstawiono oparte na symulacjach stałoprądowych studium wykonalności tranzystora polowego złączowego o głęboko submikrometrowych wymiarach, spełniającego wymagania ekstremalnej regularności layoutu wg zaproponowanej przez W. Malego [4] koncepcji pionowej szczelinowej geometrii układow scalonych VeSTIC. Taki symetryczny dwubramkowy JVeSFET proponowany jest do integracji w SoC.
12
Content available remote Tranzystor JFET z węglika krzemu - szybki, wysokonapięciowy element półprzewodnikowy do zastosowań w energoelektronice
Rąbkowski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 4
205-208
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości tranzystora JFET, w pełni sterowanego elementu wykonanego w technologii węglika krzemu (SiC), pod kątem zastosowania go w energoelektronice. Wykorzystując próbki elementów dostarczone przez producenta wyznaczono charakterystyki statyczne a także dynamiczne elementu oraz zbadano jego zachowanie się w stanie zwarcia. Opracowano sterownik bramkowy z zabezpieczeniem nadprądowym, który został wykorzystany do budowy przekształtnika DC/DC obniżającego napięcie.
EN
In this paper basic features of Junction Field Effect Transistor (JFET), fully controlled device made of silicon carbide (SiC) are presented. With the use of JFET samples static and dynamic characteristics are determined and short circuit behavior is shown. The gate driver with overcurrent protection has been developed and applied in step-down DC/DC converter.
13
Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
Taube A., Sochacki M., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
20-25
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacji tranzystora LJFET wykonanego na podłożu 4H-SiC. Wbudowane w symulator ATLAS parametry materiałowe i modele przerwy energii zabronionych, ruchliwości i jonizacji zderzeniowej rozszerzono i uzupełniono o dane zaczerpnięte z literatury. Parametry struktury tranzystora LJFET optymalizowano pod kątem uzyskania maksymalnej wartości napięcia przebicia (Vbr) i minimalnej rezystancji charakterystycznej w stanie włączenia (Ron). Po zmodyfikowaniu zaproponowanej struktury otrzymano wartość Vbr = 1020 V i Ron = 15,7 mWcm ².
EN
4H-SiC lateral junction field-effect transistor structure (LJFET) was simulated in ATLAS software. Implemented material parameters and physical models of temperature dependence of energy bandgap, electric field dependence of carrier mobility and impact ionization were extended by latest literature data. LJFET breakdown voltage (Vbr) and on-state specific resistance (Ron) were investigated to maximize Figure of Merit (FOM). Breakdown voltage of 1020 V and on-state specific resistance of 15.7 mWcm ² were achieved finally.
14
Stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET dla programu SPICE
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2003
|
Vol. 44, nr 1
3-6
PL
Praca dotyczy problemu modelowania nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET w programie SPICE. W pracy zaproponowano stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET, słuszny dla dowolnej polaryzacji tego elementu. Model uwzględnia podstawowe zjawiska zachodzace w tym elemencie oraz efekty drugorzędne, takie jak: przebicie złącza bramka-dren, prądy generacyjne złączy i samonagrze- wanie. Poprawność rozważań teoretycznych zweryfikowano eksperymentalnie.
EN
This paper concerns problem of the modelling of the nonisothermal d.c. JFET characteristics by the use of SPICE software. The lumped d.c. electrothermal model of JFET, based on Shichman-Hodges model, is proposed. This model takes into consideration the basic phenomena, which occur in the considered device, the generation current, the avalanche breakdown, the drain and source series resistances and the selfheating. The theoretical considerations are verified by measurements.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.