PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 181

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 10 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  Institute of Electron Technology
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 10 next fast forward last
1
Kwantowe Lasery Półprzewodnikowe w ITE
Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 8
16--26
PL
W artykule podsumowano ostatnie 25 lat prac badawczych i aplikacyjnych nad laserami półprzewodnikowymi prowadzonych w Zakładzie Fotoniki ITE. Prace te dotyczyły nowej generacji laserów półprzewodnikowych, których działanie opiera się na wykorzystaniu specyficznych zjawisk fizycznych zachodzących w nanostrukturach. Były to prace pionierskie w skali kraju, nawiązujące do aktualnych trendów nauki światowej. Stały się one możliwe dzięki wprowadzeniu do Polski nowych technologii wzrostu struktur półprzewodnikowych, nowych sposobów finansowania prac badawczych i szerokiemu otwarciu na współpracę międzynarodową.
EN
The paper summarizes the last 25 years of research and application works on semiconductor lasers carried at the Department of Photonics at the Institute of Electron Technology. The research dealt with a new generation of semiconductor lasers which operations is based on quantum effects in nanostructures. These were pioneering works in Poland, following actual trends in world science and technology. Their realization became possible due to the advent of new technologies of the growth of semiconductor structures, introduction of new instruments of funding research and opening for international cooperation.
2
50 lat działalności Instytutu Technologii Elektronowej
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 8
3--15
PL
Opis zawiera ważniejsze fragmenty historii Instytutu i wyniki jego działalności w okresie 50 lat istnienia. Przewijają się w nim dwa nurty powiązane odpowiednio z licznymi zmianami w jego organizacji i działalności naukowo badawczej oraz aplikacyjnej. Ta ostatnia podlegała znacznym fluktuacjom stosownie do zadań stawianych przed Instytutem najpierw jako jednostką naukową Polskiej Akademii Nauk, następnie instytutem badawczo rozwojowym należącym do Naukowo-Produkcyjnego Centrum Półprzewodników, a na końcu instytutem o statusie jednostki badawczo-rozwojowej. Przedstawiona w opisie historia została podzielona na etapy wyznaczane przez nominacje kolejnych dyrektorów, chociaż nie zawsze pociągały one za sobą zmiany w obszarze tematyki rozwijanej przez Instytut czy sposobu upowszechniania osiąganych wyników. Rysunki zawarte w tekście są kopiami slajdów prezentowanych na uroczystym Sympozjum poświęconym 50-leciu Instytutu.
EN
The paper contains some selected fragments of the history and more important achievements of the Institute during its 50 year activity. There are two intermixing mainstreams connected respectively with multiple changes in its organization and scientific or industrial application activity. The latter has been subjected to significant fluctuations adequately to tasks set for the Institute which started as a unit of the Polish Academy of Sciences, next belonged to the Scientific and Production Semiconductor Center and finally has been supervised by the Ministry of Development. The history presented in the paper has been divided into stages corresponding to directors that had led the Institute although these personal changes not always have affected its activity in a particular scientific field or in the way the results were spread out. Figures included in the paper have been presented at the festive Symposium devoted to the 50 anniversary of the Institute.
3
PREDOM Division
Maj W.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
201-207
4
Institute of Electron Technology : Scientific Activity 2013 : General Information
Poznański Zbigniew
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
3-22
5
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
Grabiec P.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
41-61
6
Department of Photonics
Bugajski M.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
27-40
7
Department of Microelectronics
Cież M., Guzdek P.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
99-129
8
Department of Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors
Piotrowska A.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
62-97
9
Department of Materials and Semiconductor Structures Research
Czerwiński A.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
130-151
10
Department of Integrated Circuits' and Systems' Design
Janczyk G.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
152-178
11
Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Przewłocki H. M.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2014
|
z. 1/2
179-200
12
Institute of Electron Technology : Scientific Activity 2012 : General Information
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
3-24
13
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
Grabiec P.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
42-64
14
Department of Photonics
Bugajski M.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
27-42
15
Department of Microelectronics
Cież M.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
93-123
16
Department of Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors
Piotrowska A.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
65-92
17
Department of Materials and Semiconductor Structures Research
Czerwiński A.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
124-138
18
Department of Integrated Circuits' and Systems' Design
Janczyk G.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
139-165
19
Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Przewłocki H. M.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
166-187
20
Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures
Kaniewska M.
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
|
2013
|
z. 1/2
188-201
first rewind previous Strona / 10 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.