Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: InGaSb

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

Wesołowski M., Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 1

77-79

Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazują dobrą jakość strukturalną, inne parametry, jak np. właściwości nośników, wymagają dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci dużej zawartości węgla i tlenu, trudności związane z obecnością tlenku na powierzchni podłoży oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD związków zawierających antymon.

We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photoluminescence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.

Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

Wesołowski M., Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 5

49-52

Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.

We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.