Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

Dąbrówka Dominika, Sarzała Robert P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

R. 98, nr 9

162--165

PL

W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy numerycznej matrycy azotkowych laserów o emisji krawędziowej emitujących falę 540 nm. Rozważono trzy różne rozwiązania konstrukcyjne zapewniające efektywne ograniczenie modu w rejonie obszaru czynnego emitera. Obliczenia przeprowadzono dla matryc zawierających od dwóch do dziesięciu emiterów. Wyniki pokazują, iż równomierny rozkład temperatury w poszczególnych emiterach można uzyskać bez wyrafinowanego układu sterującego, ale jedynie odpowiednio rozmieszczając emitery w matrycy.

EN

In the paper the results of a numerical thermal crosstalk analysis of 540 nm nitride-based edge-emitting lasers are presented. The work investigated three different structures that provide effectives mode reduction in the active region of the emitter. A laser array consisting of two to ten emitters was considered. The obtained results show that a uniform temperature distribution in individual emitters can be achieved without a sophisticated control system, but only by properly placing the emitters in the array.

2

ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers

Kuc M., Sokół A. K., Piskorski Ł., Dems M., Wasiak M., Sarzała R. P., Czyszanowski T.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2020

|

Vol. 68, nr 1

147--154

EN

This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.

3

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych

Sokół A. K., Piskorski Ł., Kuc M., Wasiak M., Sarzała R. P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

64--69

PL

W pracy przedstawiono projekt azotkowego lasera typu VECSEL z obszarem czynnym InGaN/GaN przeznaczonego do generacji promieniowania o długości fali ok. 450 nm. Do pompowania zaproponowano matrycę laserów azotkowych pracującą na fali ciągłej. Dzięki temu prezentowany laser potencjalnie również umożliwia emisję promieniowania w reżimie ciągłym w odróżnieniu od dotychczas zademonstrowanych konstrukcji tego typu. Ponadto, użycie źródła pompującego cechującego się większą długością emitowanej fali niż stosowane do tej pory w tym celu lasery barwnikowe, azotowe i Nd:YAG pozwala zredukować defekt kwantowy i poprawić własności cieplne całego przyrządu. Dzięki wykorzystaniu układu zapewniającego osiem pełnych przebiegów wiązki pompującej przez obszar czynny możliwe jest uzyskanie całkowitej sprawności konwersji mocy pompującej na moc emitowaną rzędu 26%.

EN

A concept of the nitride-based VECSEL with the InGaN/GaN active region designed to generate radiation around 450 nm has been presented. An array of nitride-based continuous-wave laser diodes has been proposed to pump the quantum wells in the active region. This enables a continuous-wave operation of the presented laser, in contrast to the nitride VECSELs demonstrated so far. Moreover, using a nitride-based array instead of dye, N2 or Nd:YAG lasers results in reduction of the quantum defect, which contributes to better thermal properties of the device. The external efficiency as high as 26% can be achieved by using a multi-pass pump setup.

4

Characterization of InGaN structures grown by epitaxial lateral overgrowth over a-plane GaN template

Miasojedovas S., Jursenas S., Kuokstis E., Zukauskas A., Gaevski M.E., Lee J., Shatalov M., Gong Z., Adivarahan V., Sattu A., Mokina I., Yang J., Asif Khan M.

Optica Applicata

|

2006

|

Vol. 36, nr 2-3

351-358

EN

We report on the luminescence characterization of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures with average 15% In content in the well layers, grown on polar and non-polar sapphire substrates utilizing epitaxial lateral overgrowth (ELOG) technique. Significant modification of the emission properties of MQWs grown over non-polar ELOG structure in comparison with non-polar orientation was observed. It was attributed to the formation of In-rich quantum dot like structures in the vicinity of substrate related defects along stripes formed during ELOG procedure. The absence of the stimulated emission and the significant reduction of carrier lifetime, observed under strong excitation, indicate the high density of nonradiative centers in the In-rich quantum dot regions of non-polar ELOG MQWs.

5

Characteristics of quantum beats in InGaN/GaN quantum well

Gao F., Xiong G.

Optica Applicata

|

2005

|

Vol. 35, nr 4

919-926

EN

A L-type three level atom in the InGaN/GaN quantum wells is formed by the lowest energy level of conductive electrons and the highest sub-bands of light and heavy hole. With the excitation of the coherent light field, a quantum beat spectrum is obtained. The quantum beat spectrum can be calculated by using the theory of effective mass. Quantum beats do not exist in all polarization directions. The influence of quantum well width and the concentration of In on the spectra of quantum beats is also discussed.