Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  InGaAs heterostructures
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures
EN
This paper addresses some physical aspects and presents experimental results concerning to phenomena which evoke modification of band structure in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures, namely the introduction of extra deep-lying energy levels in the bandgap. The deep level transient spectroscopy reveals commonly observed deep level defects in GaAs-based structures associated with native point defects as well as misfit dislocations related to strain relaxation processes.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.