Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: InAs/GaSb superlattices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju

Jasik Agata, Sankowska Iwona, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Kotowski Mateusz

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 9

115--118

W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 μm pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).

The article presents selected aspects of the two-stage optimization of type II InAs/GaSb superlattice for the use in photodetectors of the long-wavelength-infrared radiation. The first stage was to develop the growth of the periodic structures confirmed by x-ray diffraction studies, and the second one to reduce density of the point defects on the superlattice surface. The effect of the thickness of InSb interfaces on the defect density and the impact of defects on the photoconductor properties was shown. The photoconductors with absorption cut-off wavlength of about 9.3 μm and an current responsivity (Ri) detecteble in a wide temperature range of up to 225 K were obtained.

Detektory supersieciowe InAs/GaSb : wybrane aspekty technologii wytwarzania

Czuba K., Sankowska I., Jasik A., Jureńczyk J., Papis-Polakowska E., Kaźmierczak P., Kaniewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 9

3--9

Specyficzne własności supersieci II rodzaju (T2SL) z InAs/GaSb mogą spowodować w przyszłości dominację tego materiału w produkcji detektorów podczerwieni. Istotnym argumentem stosowania detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Ciągła poprawa jakości podłóż i materiału supersieci, konstrukcji detektorów oraz technik „processingu” połączona z poznaniem fundamentalnych procesów fizycznych pozwalaja obecnie na wytwarzanie przyrządów dyskretnych i matryc pracujących w obszarze widmowym średniej, dalekiej i bardzo dalekiej podczerwieni. W pracy przedstawiono aktualny stan wiedzy na temat detektorów T2SL oraz przedyskutowano przyczyny degradacji ich parametrów.

InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) have the potential to become main material used in production of infrared detection and imaging devices. Mostly due to their properties such as easy bandgap engineering or suppression of Auger processes. Moreover, the use of mercury and cadmium, most commonly used elements in present photodetectors, is being more and more restricted due to environmental and health hazards. In this work, selected aspects of T2SL detectors technology have been described.